БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS670AHZGT116NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG Rohm Semiconductor |
2,818 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 650mA (Ta) | 2.5V, 10V | 680mOhm @ 650mA, 10V | 2V @ 10µA | - | ±20V | 47 pF @ 30 V | - | 200mW (Ta) | 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | SST3 |
|
RHK003N06T146MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3 Rohm Semiconductor |
2,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 300mA (Ta) | 4V, 10V | 1Ohm @ 300mA, 10V | 2.5V @ 1mA | 6 nC @ 10 V | ±20V | 33 pF @ 10 V | - | 200mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SMT3 |
|
RRQ020P03TCRMOSFET P-CH 30V 2A TSMT6 Rohm Semiconductor |
2,939 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 2A (Ta) | 4V, 10V | 160mOhm @ 2A, 10V | 2.5V @ 1mA | 3.2 nC @ 5 V | ±20V | 230 pF @ 10 V | - | 1.25W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TSMT6 (SC-95) |
|
|
RF6G035BGTCRNCH 40V 3.5A, TUMT6, POWER MOSFE Rohm Semiconductor |
3,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | 6-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 3.5A (Ta) | 4.5V, 10V | 46mOhm @ 3.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 3.5 nC @ 10 V | ±20V | 150 pF @ 20 V | - | 910mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TUMT6 |
|
|
RF6L025BGTCRNCH 60V 2.5A, TUMT6, POWER MOSFE Rohm Semiconductor |
3,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | 6-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 2.5A (Ta) | 4.5V, 10V | 91mOhm @ 2.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 3.1 nC @ 10 V | ±20V | 135 pF @ 30 V | - | 910mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TUMT6 |
|
QS5U34TRMOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5 Rohm Semiconductor |
2,940 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 1.5A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 180mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1.3V @ 1mA | 2.5 nC @ 4.5 V | 10V | 110 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 1.25W (Ta) | 150°C | - | - | Surface Mount | TSMT5 |
|
|
RV7C040BCTCR1PCH -20V -4A SMALL SIGNAL MOSFET Rohm Semiconductor |
3,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | 3-XDFN | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 4A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 63mOhm @ 4A, 4.5V | 1.2V @ 1mA | 6.5 nC @ 4.5 V | ±8V | 460 pF @ 10 V | - | 1.1W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DFN1212-3 |
|
|
RTQ020N05TRMOSFET N-CH 45V 2A TSMT6 Rohm Semiconductor |
1,940 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 45 V | 2A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 190mOhm @ 2A, 4.5V | 1.5V @ 1mA | 2.3 nC @ 4.5 V | ±12V | 150 pF @ 10 V | - | 600mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TSMT6 (SC-95) |
|
|
RV7E040AJTCR1NCH 30V 4A MIDDLE POWER MOSFET : Rohm Semiconductor |
3,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | 3-XDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 4A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 45mOhm @ 4A, 4.5V | 1.5V @ 1mA | 4 nC @ 4.5 V | ±12V | 450 pF @ 15 V | - | 1.1W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DFN1212-3 |
|
|
RV7L020GNTCR1NCH 60V 2A MIDDLE POWER MOSFET : Rohm Semiconductor |
3,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | 3-XDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 2A (Ta) | 4.5V, 10V | 157mOhm @ 2A, 10V | 2.7V @ 50µA | 2.1 nC @ 10 V | ±20V | 110 pF @ 30 V | - | 1.1W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DFN1212-3 |
