БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS8878-F123N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 30V onsemi |
12,896 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
SFT1342-E-60 V, -12 A, 62 MILLI OHM SINGL onsemi |
18,739 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 12A (Ta) | 4V, 10V | 62mOhm @ 6A, 10V | 2.6V @ 1mA | 26 nC @ 10 V | ±20V | 1150 pF @ 20 V | - | 15W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK/TP |
|
FDFS2P753ZPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 onsemi |
5,825 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 3A (Ta) | - | 115mOhm @ 3A, 10V | 3V @ 250µA | 9.3 nC @ 10 V | ±25V | 455 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 1.6W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
SFT1443-WMOSFET N-CH 100V 9A IPAK onsemi |
4,900 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 9A (Ta) | 4V, 10V | 225mOhm @ 3A, 10V | 2.6V @ 1mA | 9.8 nC @ 10 V | ±20V | 490 pF @ 20 V | - | 1W (Ta), 19W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK/TP |
|
|
2SJ632-M-TD-E2SJ632 - P-CHANNEL SILICON MOSFE onsemi |
47,000 | - |
|
- |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
NTND1K5N021ZTAG2MDUCHANNEL onsemi |
8,000 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
SFT1446-HMOSFET N-CH 60V 20A TP onsemi |
2,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 20A (Ta) | 4V, 10V | 51mOhm @ 10A, 10V | 2.6V @ 1mA | 16 nC @ 10 V | ±20V | 750 pF @ 20 V | - | 1W (Ta), 23W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK/TP |
|
ECH8656-TL-HPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR onsemi |
84,000 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
FDS8876-F4030V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET onsemi |
27,500 | - |
|
- |
PowerTrench® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 12.5A (Ta) | 4.5V, 10V | 8.2mOhm @ 12.5A, 10V | 2.5V @ 250µA | 36 nC @ 10 V | ±20V | 1650 pF @ 15 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
|
FDPC1012S-PFDPC102ASYMMETRDUN-CHANNMOSFET onsemi |
9,797 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
