БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SK3489-TD-ESWITCHING DEVICE onsemi |
7,000 | - |
|
- |
* | - | Tape & Reel (TR) | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
NTR3A085PZT1GSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI onsemi |
2,148,242 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 1.9A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 77mOhm @ 1.6A, 4.5V | 1V @ 250µA | 6.9 nC @ 4.5 V | ±8V | 586 pF @ 10 V | - | 420mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-23-3 (TO-236) |
|
SCH1430-TL-WSCH1430 - POWER MOSFET, 20V, 2A, onsemi |
25,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-563, SOT-666 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 125mOhm @ 1A, 4.5V | 1.3V @ 1mA | 1.8 nC @ 4.5 V | ±12V | 128 pF @ 10 V | - | 800mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-563/SCH6 |
|
|
CPH3317-TL-ESmall Signal Field-Effect Transi onsemi |
3,000 | - |
|
- |
- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
CPH6355-TL-WSINGLE P-CHANNEL POWER MOSFET, - onsemi |
327,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 3A (Ta) | 4V, 10V | 169mOhm @ 1.5A, 10V | 2.6V @ 1mA | 3.9 nC @ 10 V | ±20V | 172 pF @ 10 V | - | 1.6W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-CPH |
|
|
NTNS3CS68NZT5G4.3A, 20V, 0.06OHM, 2-ELEMENT, N onsemi |
280,000 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
NTNS3CS94NZT5G2.8A, 20V, 0.09OHM, N-CHANNEL MO onsemi |
144,000 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
SCH1331-TL-WPOWER MOSFET onsemi |
20,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-563, SOT-666 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 12 V | 3A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 84mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1.3V @ 1mA | 5.6 nC @ 4.5 V | ±10V | 405 pF @ 6 V | - | 1W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-563/SCH6 |
|
|
SCH1331-TL-HMOSFET P-CH 12V 3A 6SCH onsemi |
19,650 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-563, SOT-666 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 12 V | 3A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 84mOhm @ 1.5A, 4.5V | - | 5.6 nC @ 4.5 V | ±10V | 405 pF @ 6 V | - | 1W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-SCH |
|
|
MCH3312-TL-EP-CHANNEL MOSFET FOR ULTRA-HIGH onsemi |
6,000 | - |
|
- |
- | 3-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 2A (Ta) | 4V, 10V | 145mOhm @ 1A, 10V | 2.6V @ 1mA | 5.5 nC @ 10 V | ±20V | 200 pF @ 10 V | - | 1W (Ta) | 150°C | - | - | Surface Mount | 3-MCPH |
