БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDD03N60Z-1GMOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 2.6A (Tc) | 10V | 3.6Ohm @ 1.2A, 10V | 4.5V @ 50µA | 12 nC @ 10 V | ±30V | 312 pF @ 25 V | - | 61W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
NTLJS1102PTAGMOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
µCool™ | 6-WDFN Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 8 V | 3.7A (Ta) | 1.2V, 4.5V | 36mOhm @ 6.2A, 4.5V | 720mV @ 250µA | 25 nC @ 4.5 V | ±6V | 1585 pF @ 4 V | - | 700mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-WDFN (2x2) |
|
NTLJD3182FZTAGMOSFET P-CH 20V 2.2A 6WDFN onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 6-WDFN Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.2A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 100mOhm @ 2A, 4.5V | 1V @ 250µA | 7.8 nC @ 4.5 V | ±8V | 450 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 710mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-WDFN (2x2) |
|
FDU6N25MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
UniFET™ | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 4.4A (Tc) | 10V | 1.1Ohm @ 2.2A, 10V | 5V @ 250µA | 6 nC @ 10 V | ±30V | 250 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
NTHS4111PT1P-CHANNEL MOSFET onsemi |
24,600 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
MGSF3442XT1SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET onsemi |
24,000 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
MTD6N10E1NFET DPAK 100V 0.40R onsemi |
19,015 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
MCH6336-TL-HMOSFET P-CH 12V 5A 6MCPH onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 6-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 12 V | 5A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 43mOhm @ 3A, 4.5V | - | 6.9 nC @ 4.5 V | ±10V | 660 pF @ 6 V | - | 1.5W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-MCPH |
|
CPH5811-TL-ENCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES onsemi |
18,000 | - |
|
- |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
NTMSD2P102R2SGMOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC onsemi |
17,500 | - |
|
- |
- | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.3A (Ta) | - | 90mOhm @ 2.4A, 4.5V | - | 18 nC @ 4.5 V | - | 750 pF @ 16 V | Schottky Diode (Isolated) | - | - | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
