БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CPH3441-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES onsemi |
375,000 | - |
|
- |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
NTD4979NT4GMOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 9.4A (Ta), 41A (Tc) | 4.5V, 10V | 9mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 16.5 nC @ 10 V | ±20V | 837 pF @ 15 V | - | 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
NTHD4N02FT1GMOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.9A (Tj) | 2.5V, 4.5V | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 4 nC @ 4.5 V | ±12V | 300 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 910mW (Tj) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | ChipFET™ |
|
CPH3348-TL-EMOSFET P-CH 12V 3A 3CPH onsemi |
0 | - |
|
- |
- | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 12 V | 3A (Ta) | 1.8V, 4.5V | 70mOhm @ 1.5A, 4.5V | - | 5.6 nC @ 4.5 V | ±10V | 405 pF @ 6 V | - | 1W (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 3-CPH |
|
NTD4909NAT4HNFET DPAK 30V 41A 8MO onsemi |
152,500 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
MTD2N40ET4N-CHANNEL POWER MOSFET onsemi |
137,500 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
FW808-M-TL-EMOSFET (COMPOUND TYPE) onsemi |
132,000 | - |
|
- |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
NTHD3133PFT1GMOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 3.2A (Tj) | 1.8V, 4.5V | 80mOhm @ 3.2A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 7.4 nC @ 4.5 V | ±8V | 680 pF @ 10 V | Schottky Diode (Isolated) | 1.1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | ChipFET™ |
|
NTTFS4C25NTWGMOSFET N-CH 30V 5A/27A 8WDFN onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerWDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 5A (Ta), 27A (Tc) | 4.5V, 10V | 17mOhm @ 10A, 10V | 2.2V @ 250µA | 10.3 nC @ 10 V | ±20V | 500 pF @ 15 V | - | 690mW (Ta), 20.2W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-WDFN (3.3x3.3) |
|
NTD4969N-35GMOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 9.4A (Ta), 41A (Tc) | 4.5V, 10V | 9mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 9 nC @ 4.5 V | ±20V | 837 pF @ 15 V | - | 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
