БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
,TO-226_straightlead.jpg)
|
DN2535N3-G-P013MOSFET N-CH 350V 120MA TO92 Microchip Technology |
0 | - |
|
- |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Tape & Box (TB) | Active | N-Channel, Depletion Mode | MOSFET (Metal Oxide) | 350 V | 120mA (Tj) | 0V | 25Ohm @ 120mA, 0V | - | - | ±20V | 300 pF @ 25 V | - | 1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92 (TO-226) |
|
MIC94030YM4-TRMOSFET P-CH 16V 1A SOT-143 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
TinyFET® | TO-253-4, TO-253AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 16 V | 1A (Ta) | 2.7V, 10V | 450mOhm @ 100mA, 10V | 1.4V @ 250µA | - | 16V | 100 pF @ 12 V | - | 568mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-143 |
|
MCP87030T-U/MFMOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.5mOhm @ 20A, 10V | 1.6V @ 250µA | 22 nC @ 4.5 V | +10V, -8V | 1635 pF @ 12.5 V | - | 2.2W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PDFN (5x6) |
|
|
TN0106N3-G-P013MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Tape & Box (TB) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 350mA (Tj) | 4.5V, 10V | 3Ohm @ 500mA, 10V | 2V @ 500µA | - | ±20V | 60 pF @ 25 V | - | 1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
|
|
TP0606N3-G-P003MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 320mA (Tj) | 5V, 10V | 3.5Ohm @ 750mA, 10V | 2.4V @ 1mA | - | ±20V | 150 pF @ 25 V | - | 1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
|
|
TP0606N3-G-P002MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 320mA (Tj) | 5V, 10V | 3.5Ohm @ 750mA, 10V | 2.4V @ 1mA | - | ±20V | 150 pF @ 25 V | - | 1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
|
|
TN0104N3-G-P003MOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 450mA (Ta) | 3V, 10V | 1.8Ohm @ 1A, 10V | 1.6V @ 500µA | - | ±20V | 70 pF @ 20 V | - | 1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
|
|
VN2410L-G-P013MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | Tape & Box (TB) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 240 V | 190mA (Tj) | 2.5V, 10V | 10Ohm @ 500mA, 10V | 2V @ 1mA | - | ±20V | 125 pF @ 25 V | - | 1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
|
|
VN2410L-G-P014MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | Tape & Box (TB) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 240 V | 190mA (Tj) | 2.5V, 10V | 10Ohm @ 500mA, 10V | 2V @ 1mA | - | ±20V | 125 pF @ 25 V | - | 1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
|
|
TN0104N3-G-P014MOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Tape & Box (TB) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 450mA (Ta) | 3V, 10V | 1.8Ohm @ 1A, 10V | 1.6V @ 500µA | - | ±20V | 70 pF @ 20 V | - | 1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
