БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
APTML100U60R020T1AGMOSFET N-CH 1000V 20A SP1 Microchip Technology |
12 | - |
|
Таблицы данных |
- | SP1 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 20A (Tc) | 10V | 720mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 2.5mA | - | ±30V | 6000 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SP1 |
|
APT13F120BMOSFET N-CH 1200V 14A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 14A (Tc) | 10V | 1.4Ohm @ 7A, 10V | 5V @ 1mA | 145 nC @ 10 V | ±30V | 4765 pF @ 25 V | - | 625W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
APT20M16LFLLGMOSFET N-CH 200V 100A TO264 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 100A (Tc) | - | 16mOhm @ 50A, 10V | 5V @ 2.5mA | 140 nC @ 10 V | - | 7220 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-264 [L] |
|
APT53F80JMOSFET N-CH 800V 57A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 57A (Tc) | 10V | 110mOhm @ 43A, 10V | 5V @ 5mA | 570 nC @ 10 V | ±30V | 17550 pF @ 25 V | - | 960W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
APT37F50BMOSFET N-CH 500V 37A TO247 Microchip Technology |
8 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 37A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 18A, 10V | 5V @ 1mA | 145 nC @ 10 V | ±30V | 5710 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
|
APT14F100BMOSFET N-CH 1000V 14A TO247 Microchip Technology |
17 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 14A (Tc) | 10V | 980mOhm @ 7A, 10V | 5V @ 1mA | 120 nC @ 10 V | ±30V | 3965 pF @ 25 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
|
APT5020BVRGMOSFET N-CH 500V 26A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS V® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 26A (Tc) | - | 200mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 1mA | 225 nC @ 10 V | - | 4440 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | TO-247 [B] |
|
APT18M100SMOSFET N-CH 1000V 18A D3PAK Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 18A (Tc) | 10V | 700mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 1mA | 150 nC @ 10 V | ±30V | 4845 pF @ 25 V | - | 625W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D3PAK |
|
|
APT17F120JMOSFET N-CH 1200V 18A ISOTOP Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
POWER MOS 8™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 18A (Tc) | 10V | 580mOhm @ 14A, 10V | 5V @ 2.5mA | 300 nC @ 10 V | ±30V | 9670 pF @ 25 V | - | 545W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
|
MSC025SMA120B4TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247 Microchip Technology |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 103A (Tc) | 20V | 31mOhm @ 40A, 20V | 2.8V @ 3mA | 232 nC @ 20 V | +23V, -10V | 3020 pF @ 1000 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
