БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AIMZA75R040M1HXKSA1IGBT Infineon Technologies |
229 | - |
|
Таблицы данных |
CoolSiC™ | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 750 V | 44A (Tj) | 15V, 20V | 37mOhm @ 16.6A, 20V | 5.6V @ 6mA | 34 nC @ 18 V | +23V, -5V | 1135 pF @ 500 V | - | 185W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO247-4 |
|
|
IMZA65R033M2HXKSA1IMZA65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies |
390 | - |
|
Таблицы данных |
CoolSiC™ | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 650 V | 53A (Tc) | 15V, 20V | 30mOhm @ 27.9A, 20V | 5.6V @ 5.7mA | 34 nC @ 18 V | +23V, -7V | 1214 pF @ 400 V | - | 194W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-4-8 |
|
|
IMBG40R015M2HXTMA1SIC-MOS Infineon Technologies |
939 | - |
|
Таблицы данных |
CoolSiC™ | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 400 V | 11.7A (Ta), 111A (Tc) | 15V, 18V | 19.1mOhm @ 27.1A, 18V | 5.6V @ 9.7mA | 62 nC @ 18 V | +23V, -7V | 2730 pF @ 200 V | - | 3.8W (Ta), 341W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-7-11 |
|
|
GS-065-030-6-LL-MRGAN POWER TRANSISTOR Infineon Technologies |
195 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerSFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 700 V | 40A (Tc) | 6V | 58mOhm @ 5.5A, 6V | 2.6V @ 7.5mA | 6.7 nC @ 6 V | +7V, -10V | 235 pF @ 400 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TOLL |
|
|
IPWS65R022CFD7AXKSA1AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3 Infineon Technologies |
238 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 96A (Tc) | 10V | 22mOhm @ 58.2A, 10V | 4.5V @ 2.91mA | 234 nC @ 10 V | ±30V | 11659 pF @ 400 V | - | 446W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-31 |
|
|
IPDQ60R025CFD7XTMA1HIGH POWER_NEW Infineon Technologies |
725 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | 22-PowerBSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 90A (Tc) | 10V | 25mOhm @ 32.6A, 10V | 4.5V @ 1.63mA | 141 nC @ 10 V | ±20V | 5626 pF @ 400 V | - | 446W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HDSOP-22-1 |
|
|
AIMZHN120R080M1TXKSA1SIC_DISCRETE Infineon Technologies |
233 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 31A (Tc) | 18V, 20V | 100mOhm @ 10A, 20V | 5.1V @ 3.3mA | 24 nC @ 20 V | +23V, -5V | 671 pF @ 800 V | - | 169W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO247-4-14 |
|
|
IMDQ75R027M1HXUMA1IMDQ75R027M1HXUMA1 Infineon Technologies |
708 | - |
|
Таблицы данных |
CoolSiC™ | 22-PowerBSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 750 V | 64A (Tj) | 15V, 20V | 25mOhm @ 24.5A, 20V | 5.6V @ 8.8mA | 49 nC @ 18 V | +20V, -2V | 1668 pF @ 500 V | - | 273W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HDSOP-22-1 |
|
|
IPQC60R017S7XTMA1MOSFET Infineon Technologies |
750 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ S7 | 22-PowerBSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 30A (Tc) | 12V | 17mOhm @ 29A, 12V | 4.5V @ 1.89mA | 196 nC @ 12 V | ±20V | 7370 pF @ 300 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HDSOP-22 |
|
|
IPDQ60R017S7XTMA1MOSFET Infineon Technologies |
695 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ S7 | 22-PowerBSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 30A (Tc) | 12V | 17mOhm @ 29A, 12V | 4.5V @ 1.89mA | 196 nC @ 12 V | ±20V | 7370 pF @ 300 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HDSOP-22-1 |
