БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IMZA75R040M1HXKSA1SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies |
235 | - |
|
Таблицы данных |
CoolSiC™ | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 750 V | 44A (Tj) | 15V, 20V | 37mOhm @ 16.6A, 20V | 5.6V @ 6mA | 34 nC @ 18 V | +23V, -5V | 1135 pF @ 500 V | - | 185W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-4 |
|
|
AIMCQ120R060M1TXTMA1SIC_DISCRETE Infineon Technologies |
850 | - |
|
- |
CoolSiC™ | 22-PowerBSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 1200 V | 44A (Tc) | 18V, 20V | 75mOhm @ 13A, 20V | 5.1V @ 4.3mA | 32 nC @ 20 V | +25V, -10V | 880 pF @ 800 V | - | 259W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-HDSOP-22 |
|
|
AIMZH120R160M1TXKSA1SIC_DISCRETE Infineon Technologies |
207 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 17A (Tc) | 18V, 20V | 200mOhm @ 5A, 20V | 5.1V @ 1.5mA | 14 nC @ 20 V | +23V, -5V | 350 pF @ 800 V | - | 109W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO247-4-11 |
|
|
IMZC120R040M2HXKSA1IMZC120R040M2HXKSA1 Infineon Technologies |
240 | - |
|
Таблицы данных |
CoolSiC™ | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 1200 V | 48A (Tc) | 15V, 18V | 40mOhm @ 18A, 18V | 5.1V @ 5.5mA | 39 nC @ 18 V | +23V, -7V | 1310 pF @ 800 V | - | 218W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-4-17 |
|
|
IPT60T022S7XTMA1HIGH POWER_NEW Infineon Technologies |
218 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | 8-PowerSFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 23A (Tj) | 12V | 22mOhm @ 23A, 12V | 4.5V @ 1.43mA | 150 nC @ 12 V | ±20V | 5640 pF @ 300 V | - | 390W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8-2 |
|
|
IPQC60T022S7XTMA1HIGH POWER_NEW Infineon Technologies |
750 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | 22-PowerBSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 90A (Tc) | 12V | 22mOhm @ 23A, 12V | 4.5V @ 1.43mA | 150 nC @ 12 V | ±20V | 5640 pF @ 300 V | - | 416W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HDSOP-22-1 |
|
|
IMW65R033M2HXKSA1IMW65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies |
369 | - |
|
Таблицы данных |
CoolSiC™ | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 650 V | 53A (Tc) | 15V, 20V | 30mOhm @ 27.9A, 20V | 5.6V @ 5.7mA | 34 nC @ 18 V | +23V, -7V | 1214 pF @ 400 V | - | 194W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-40 |
|
|
IMT40R015M2HXTMA1SIC-MOS Infineon Technologies |
1,942 | - |
|
Таблицы данных |
CoolSiC™ | 8-PowerSFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 400 V | 11.7A (Ta), 111A (Tc) | 15V, 18V | 19.1mOhm @ 27.1A, 18V | 5.6V @ 9.7mA | 62 nC @ 18 V | +23V, -7V | 2730 pF @ 200 V | - | 3.8W (Ta), 341W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8-2 |
|
|
IPDQ60R016CM8XTMA1IPDQ60R016CM8XTMA1 Infineon Technologies |
720 | - |
|
- |
CoolMOS™ | 22-PowerBSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 135A (Tc) | 10V | 16mOhm @ 62.5A, 10V | 4.7V @ 1.48mA | 171 nC @ 10 V | ±20V | 7545 pF @ 400 V | - | 625W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HDSOP-22 |
|
|
IPDQ60R022S7AXTMA1MOSFET Infineon Technologies |
750 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | 22-PowerBSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 24A (Tc) | 12V | 22mOhm @ 23A, 12V | 4.5V @ 1.44mA | 150 nC @ 12 V | ±20V | 5640 pF @ 300 V | - | 416W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-HDSOP-22-1 |
