БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP4768PBFXKMA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
388 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 93A (Tc) | 10V | 17.5mOhm @ 56A, 10V | 5V @ 250µA | 270 nC @ 10 V | ±20V | 10880 pF @ 50 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-901 |
|
|
IMBG40R036M2HXTMA1SIC-MOS Infineon Technologies |
984 | - |
|
Таблицы данных |
CoolSiC™ | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 400 V | 7.6A (Ta), 50A (Tc) | 15V, 18V | 45.7mOhm @ 11.1A, 18V | 5.6V @ 4mA | 26 nC @ 18 V | +23V, -7V | 1170 pF @ 200 V | - | 3.8W (Ta), 167W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-7-11 |
|
|
IPTG029N13NM6ATMA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
1,800 | - |
|
Таблицы данных |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
IPT009N06NM5ATMA1TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies |
1,990 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 5 | 8-PowerSFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 48A (Ta), 427A (Tc) | 6V, 10V | 0.9mOhm @ 150A, 10V | 3.3V @ 220µA | 257 nC @ 10 V | ±20V | 16000 pF @ 30 V | - | 3.8W (Ta), 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8 |
|
|
IMLT65R060M2HXTMA1SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies |
364 | - |
|
Таблицы данных |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
GS-065-011-2-L-MRGS-065-011-2-L-MR Infineon Technologies Canada Inc. |
180 | - |
|
- |
- | 8-VDFN Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 11A (Tc) | 6V | 195mOhm @ 3.2A, 6V | 2.6V @ 2.4mA | 2.2 nC @ 6 V | +7V, -10V | 70 pF @ 400 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-PDFN (8x8) |
|
|
IPB65R075CFD7AATMA1AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3 Infineon Technologies |
826 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 32A (Tc) | 10V | 75mOhm @ 16.4A, 10V | 4.5V @ 820µA | 68 nC @ 10 V | ±20V | 3288 pF @ 400 V | - | 171W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
|
IPT026N12NM6ATMA1IPT026N12NM6ATMA1 Infineon Technologies |
1,910 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 6 | 8-PowerSFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 120 V | 23A (Ta), 224A (Tc) | 8V, 10V | 2.6mOhm @ 115A, 10V | 3.6V @ 169µA | 88 nC @ 10 V | ±20V | 6500 pF @ 60 V | - | 3W (Ta), 283W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8-1 |
|
|
IMZA75R090M1HXKSA1SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies |
218 | - |
|
Таблицы данных |
CoolSiC™ | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 750 V | 23A (Tj) | 15V, 20V | 83mOhm @ 7.4A, 20V | 5.6V @ 2.6mA | 15 nC @ 18 V | +23V, -5V | 542 pF @ 500 V | - | 113W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-4 |
|
|
IPT65R060CFD7XTMA1HIGH POWER_NEW Infineon Technologies |
1,988 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerSFN | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | 650 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8-3 |
