БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPDQ65R060CFD7XTMA1HIGH POWER_NEW Infineon Technologies |
730 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | 22-PowerBSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 45A (Tc) | 10V | 60mOhm @ 16.4A, 10V | 4.5V @ 820µA | 65 nC @ 10 V | ±20V | 3288 pF @ 400 V | - | 272W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HDSOP-22-1 |
|
|
IPF031N13NM6ATMA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
690 | - |
|
Таблицы данных |
- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
ISC044N15NM6ATMA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
4,019 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 6 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 17.1A (Ta), 156A (Tc) | 8V, 15V | 4.2mOhm @ 50A, 15V | 4V @ 140µA | 72 nC @ 75 V | ±20V | 5100 pF @ 75 V | - | 3W (Ta), 250W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TSON-8-3 |
|
IPI90R340C3XKSA2MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3 Infineon Technologies |
495 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 15A (Tc) | 10V | 340mOhm @ 9.2A, 10V | 3.5V @ 1mA | 94 nC @ 10 V | ±20V | 2400 pF @ 100 V | - | 208W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262-3-1 |
|
IPA90R340C3XKSA2MOSFET N-CH 900V 15A TO220 Infineon Technologies |
316 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 15A (Tc) | 10V | 340mOhm @ 9.2A, 10V | 3.5V @ 1mA | 94 nC @ 10 V | ±20V | 2400 pF @ 100 V | - | 35W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-FP |
|
IPP90R340C3XKSA2MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3 Infineon Technologies |
298 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 15A (Tc) | 10V | 340mOhm @ 9.2A, 10V | 3.5V @ 1mA | 94 nC @ 10 V | ±20V | 2400 pF @ 100 V | - | 208W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
IPW80R290C3AXKSA1MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3 Infineon Technologies |
216 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 17A (Tc) | 10V | 290mOhm @ 11A, 10V | 3.9V @ 1mA | 117 nC @ 10 V | ±20V | 2300 pF @ 100 V | - | 227W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO247-3 |
|
IPI60R125CPXKSA1MOSFET N-CH 650V 25A TO262-3 Infineon Technologies |
490 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 25A (Tc) | 10V | 125mOhm @ 16A, 10V | 3.5V @ 1.1mA | 70 nC @ 10 V | ±20V | 2500 pF @ 100 V | - | 208W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262-3 |
|
|
IPT65R080CFD7XTMA1HIGH POWER_NEW Infineon Technologies |
2,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-PowerSFN | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | 650 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8-3 |
|
|
IPTC026N12NM6ATMA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
1,580 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 6 | 16-PowerSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 120 V | 26A (Ta), 222A (Tc) | 8V, 10V | 2.6mOhm @ 115A, 10V | 3.6V @ 169µA | 88 nC @ 10 V | ±20V | 6500 pF @ 60 V | - | 3.8W (Ta), 278W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HDSOP-16-2 |
