БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IQE022N06LM5SCATMA1OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V Infineon Technologies |
5,868 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 5 | 8-PowerWDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 24A (Ta), 151A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.2mOhm @ 20A, 10V | 2.3V @ 48µA | 53 nC @ 10 V | ±20V | 4420 pF @ 30 V | - | 2.5W (Ta), 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-WHSON-8-1 |
|
|
IQE022N06LM5CGSCATMA1OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V Infineon Technologies |
4,651 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 5 | 9-PowerWDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 24A (Ta), 151A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.2mOhm @ 20A, 10V | 2.3V @ 48µA | 53 nC @ 10 V | ±20V | 4420 pF @ 30 V | - | 2.5W (Ta), 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-WHTFN-9 |
|
IPP034N08N5AKSA1MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Infineon Technologies |
914 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 120A (Tc) | 6V, 10V | 3.4mOhm @ 100A, 10V | 3.8V @ 108µA | 87 nC @ 10 V | ±20V | 6240 pF @ 40 V | - | 167W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
|
|
IPP030N10N5XKSA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
500 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 120A (Tc) | 6V, 10V | 3mOhm @ 100A, 10V | 3.8V @ 184µA | 139 nC @ 10 V | ±20V | 10300 pF @ 50 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
IPL60R210P6AUMA1MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON Infineon Technologies |
3,000 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ P6 | 4-PowerTSFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 19.2A (Tc) | 10V | 210mOhm @ 7.6A, 10V | 4.5V @ 630µA | 37 nC @ 10 V | ±20V | 1750 pF @ 100 V | - | 151W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-VSON-4 |
|
IAUA180N08S5N026AUMA1MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5 Infineon Technologies |
1,468 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 5-PowerSFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 180A (Tj) | 6V, 10V | 2.6mOhm @ 90A, 10V | 3.8V @ 100µA | 87 nC @ 10 V | ±20V | 5980 pF @ 40 V | - | 179W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-5-4 |
|
|
IQE046N08LM5SCATMA1OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V Infineon Technologies |
5,670 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 5 | 8-PowerWDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 15.6A (Ta), 99A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.6mOhm @ 20A, 10V | 2.3V @ 47µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 3250 pF @ 40 V | - | 2.5W (Ta), 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-WHSON-8-1 |
|
|
IPA600N25NM3SXKSA1MOSFET N-CH 250V 15A TO220 Infineon Technologies |
276 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 3 | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 15A (Tc) | 10V | 60mOhm @ 15A, 10V | 4V @ 89µA | 29 nC @ 10 V | ±20V | 2300 pF @ 100 V | - | 38W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220 Full Pack |
|
|
IPP089N15NM6AKSA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
1,981 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 6 | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 13.6A (Ta), 88A (Tc) | 8V, 15V | 8.4mOhm @ 32A, 15V | 4V @ 73µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 2700 pF @ 75 V | - | 3.8W (Ta), 158W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
IPI120N04S401AKSA1MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3 Infineon Technologies |
225 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 120A (Tc) | 10V | 1.9mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 140µA | 176 nC @ 10 V | ±20V | 14000 pF @ 25 V | - | 188W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262-3 |
