БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP076N15N5XKSA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
500 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 112A (Tc) | 8V, 10V | 7.6mOhm @ 56A, 10V | 4.6V @ 160µA | 61 nC @ 10 V | ±20V | 4700 pF @ 75 V | - | 214W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
IPB120N04S4L02ATMA1MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Infineon Technologies |
455 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 120A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.7mOhm @ 100A, 10V | 2.2V @ 110µA | 190 nC @ 10 V | +20V, -16V | 14560 pF @ 25 V | - | 158W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
|
IAUCN10S7N040ATMA1IAUCN10S7N040ATMA1 Infineon Technologies |
4,975 | - |
|
- |
OptiMOS™ 7 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 130A (Tj) | 7V, 10V | 4mOhm @ 60A, 10V | 3.2V @ 66µA | 51.1 nC @ 10 V | ±20V | 3660 pF @ 50 V | - | 142W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TDSON-8-34 |
|
IPB160N04S4LH1ATMA1MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 Infineon Technologies |
1,895 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 160A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.5mOhm @ 100A, 10V | 2.2V @ 110µA | 190 nC @ 10 V | +20V, -16V | 14950 pF @ 25 V | - | 167W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TO263-7-3 |
|
|
IQE004NE1LM7SCATMA1TRENCH <= 40V Infineon Technologies |
10,803 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 7 | 8-PowerWDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 15 V | 58A (Ta), 379A (Tc) | 4.5V, 7V | 0.45mOhm @ 30A, 7V | 2V @ 432µA | 55 nC @ 7 V | ±7V | 6240 pF @ 7.5 V | - | 2.1W (Ta), 89W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-WHSON-8 |
|
|
IQE004NE1LM7CGSCATMA1TRENCH <= 40V Infineon Technologies |
10,806 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 7 | 9-PowerWDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 15 V | 58A (Ta), 379A (Tc) | 4.5V, 7V | 0.45mOhm @ 30A, 7V | 2V @ 432µA | 55 nC @ 7 V | ±7V | 6240 pF @ 7.5 V | - | 2.1W (Ta), 89W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-WHTFN-9 |
|
|
IQE022N06LM5ATMA1TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies |
4,927 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 5 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 24A (Ta), 151A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.2mOhm @ 20A, 10V | 2.3V @ 48µA | 53 nC @ 10 V | ±20V | 4420 pF @ 30 V | - | 2.5W (Ta), 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TSON-8-5 |
|
|
IQE022N06LM5CGATMA1TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies |
3,420 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 5 | 9-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 24A (Ta), 151A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.2mOhm @ 20A, 10V | 2.3V @ 48µA | 53 nC @ 10 V | ±20V | 4420 pF @ 30 V | - | 2.5W (Ta), 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TTFN-9-3 |
|
|
IPB65R310CFDATMA2MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263-3 Infineon Technologies |
933 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ CFD2 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 11.4A (Tc) | 10V | 310mOhm @ 4.4A, 10V | 4.5V @ 400µA | 41 nC @ 10 V | ±20V | 1100 pF @ 100 V | - | 104.2W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
|
IPP020N06NXKSA1TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies |
498 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 120A (Tc) | 6V, 10V | 2mOhm @ 100A, 10V | 3.3V @ 143µA | 124 nC @ 10 V | ±20V | 9750 pF @ 30 V | - | 3W (Ta), 214W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
