БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFC3810BMOSFET 100V 170A DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 170A | 10V | 9mOhm @ 170A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
|
|
IRLC120NBMOSFET 100V 10A DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 10A | 10V | 180mOhm @ 10A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
|
|
IRFC140NBMOSFET 100V 33A DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 33A | 10V | 44mOhm @ 33A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
|
IRF7811AVTRPBF-1MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 10.8A (Ta) | 4.5V | 14mOhm @ 15A, 4.5V | 3V @ 250µA | 26 nC @ 5 V | ±20V | 1801 pF @ 10 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRFC4905BMOSFET 55V 42A DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 42A | 10V | 20mOhm @ 42A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
|
|
IRFC3710DMOSFET 100V 57A DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 57A | 10V | 23mOhm @ 57A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
|
|
IRFC230NBMOSFET 200V 9.3A DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 9.3A | - | 300mOhm @ 9.3A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
|
|
IRFCZ44VBMOSFET 60V 55A DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 55A | 10V | 16.5mOhm @ 55A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
|
|
IRFC260NBMOSFET 200V 50A DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 50A | 10V | 40mOhm @ 50A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
|
IRF6216TRPBF-1MOSFET P-CH 150V 2.2A SOT223 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 2.2A (Ta) | 10V | 240mOhm @ 1.3A, 10V | 5V @ 250µA | 49 nC @ 10 V | ±20V | 1280 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223 |
