БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSP129L6327N-CHANNEL POWER MOSFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-261-4, TO-261AA | Bulk | Active | N-Channel, Depletion Mode | MOSFET (Metal Oxide) | 240 V | 350mA (Ta) | 0V, 10V | 6Ohm @ 350mA, 10V | 1V @ 108µA | 5.7 nC @ 5 V | ±20V | 108 pF @ 25 V | - | 1.8W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT223-4-21 |
|
IRFC3205BMOSFET 55V 110A DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 110A | - | 8mOhm @ 110A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
|
|
IRFC3415BMOSFET 150V 43A DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 43A | 10V | 42mOhm @ 43A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
|
IRF6217TRPBF-1MOSFET P-CH 150V 700MA 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 700mA (Ta) | 10V | 2.4Ohm @ 420mA, 10V | 5V @ 250µA | 9 nC @ 10 V | ±20V | 150 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRFC9130NBMOSFET 100V 14A DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 14A | 10V | 200mOhm @ 14A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
|
|
IRFC7416BMOSFET 30V 10A DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 10A | 10V | 20mOhm @ 10A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
|
|
IRLC024NBMOSFET 55V 17A DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 17A | 10V | 65mOhm @ 17A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
|
|
IRFC240NBMOSFET 200V DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
|
|
IRFC9024NBMOSFET 55V 11A DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 11A | 10V | 175mOhm @ 11A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
|
|
IRFC9034NBMOSFET 55V 19A DIE Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
HEXFET® | Die | Bulk | Obsolete | - | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 19A | 10V | 100mOhm @ 19A, 10V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Die |
