БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
94-2503PBFMOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | - | Tube | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
94-4849PBFMOSFET P-CH 55V 11A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | - | Tube | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
|
IRFC4310EFMOSFET N-CH 100V DIE ON FILM Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
IPB45N06S409ATMA2MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ T2 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 45A (Tc) | 10V | 9.4mOhm @ 45A, 10V | 4V @ 34µA | 47 nC @ 10 V | ±20V | 3785 pF @ 25 V | - | 71W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
|
|
IPB80N06S4L05ATMA2MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.1mOhm @ 80A, 10V | 2.2V @ 60µA | 110 nC @ 10 V | ±16V | 8180 pF @ 25 V | - | 107W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
|
IPP80N06S407AKSA2MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 80A (Tc) | 10V | 7.4mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 40µA | 56 nC @ 10 V | ±20V | 4500 pF @ 25 V | - | 79W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
IPS70R950CEAKMA1MOSFET N-CH 700V 7.4A TO251 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | 7.4A (Tc) | 10V | 950mOhm @ 1.5A, 10V | 3.5V @ 150µA | 15.3 nC @ 10 V | ±20V | 328 pF @ 100 V | - | 68W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3-11 |
|
|
IPS70R2K0CEAKMA1MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | 4A (Tc) | 10V | 2Ohm @ 1A, 10V | 3.5V @ 70µA | 7.8 nC @ 10 V | ±20V | 163 pF @ 100 V | - | 42W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3-11 |
|
AUIRF1324STRL7PMOSFET N-CH 24V 340A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 24 V | 340A (Tc) | 10V | 1.65mOhm @ 195A, 10V | 4V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 7590 pF @ 24 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
AUIRLS8409-7TRLMOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 240A (Tc) | 4.5V, 10V | 0.75mOhm @ 100A, 10V | 2.4V @ 250µA | 266 nC @ 4.5 V | ±16V | 16488 pF @ 25 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-7 |
