БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPI80P04P4L04AKSA1MOSFET P-CH 40V 80A TO262-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.7mOhm @ 80A, 10V | 2.2V @ 250µA | 176 nC @ 10 V | +5V, -16V | 3800 pF @ 25 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO262-3-1 |
|
IPL65R165CFDAUMA1MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | 4-PowerTSFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 21.3A (Tc) | 10V | 165mOhm @ 9.3A, 10V | 4.5V @ 900µA | 86 nC @ 10 V | ±20V | 2340 pF @ 100 V | - | 195W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-VSON-4 |
|
|
IPL65R190E6AUMA1MOSFET N-CH 650V 20.2A 4VSON Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ E6 | 4-PowerTSFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 20.2A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 7.3A, 10V | 3.5V @ 700µA | 73 nC @ 10 V | ±20V | 1620 pF @ 100 V | - | 151W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-VSON-4 |
|
|
IPL65R210CFDAUMA1MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | 4-PowerTSFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 16.6A (Tc) | 10V | 210mOhm @ 7.3A, 10V | 4.5V @ 700µA | 68 nC @ 10 V | ±20V | 1850 pF @ 100 V | - | 151W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-VSON-4 |
|
|
IPL65R310E6AUMA1MOSFET N-CH 650V 13.1A THIN-PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ E6 | 4-PowerTSFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 13.1A (Tc) | 10V | 310mOhm @ 4.4A, 10V | 3.5V @ 400µA | 45 nC @ 10 V | ±20V | 950 pF @ 100 V | - | 104W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-VSON-4 |
|
|
IPL65R340CFDAUMA1MOSFET N-CH 650V 10.9A THIN-PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | 4-PowerTSFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 10.9A (Tc) | 10V | 340mOhm @ 4.4A, 10V | 4.5V @ 400µA | 41 nC @ 10 V | ±20V | 1100 pF @ 100 V | - | 104.2W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-VSON-4 |
|
|
IPL65R420E6AUMA1MOSFET N-CH 650V 10.1A THIN-PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ E6 | 4-PowerTSFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 10.1A (Tc) | 10V | 420mOhm @ 3.4A, 10V | 3.5V @ 300µA | 39 nC @ 10 V | ±20V | 710 pF @ 100 V | - | 83W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-VSON-4 |
|
|
IPL65R460CFDAUMA1MOSFET N-CH 650V 8.3A THIN-PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | 4-PowerTSFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 8.3A (Tc) | 10V | 460mOhm @ 3.4A, 10V | 4.5V @ 300µA | 31.5 nC @ 10 V | ±20V | 870 pF @ 100 V | - | 83.3W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-VSON-4 |
|
|
IPL65R660E6AUMA1MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ E6 | 4-PowerTSFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 7A (Tc) | 10V | 660mOhm @ 2.1A, 10V | 3.5V @ 200µA | 23 nC @ 10 V | ±20V | 440 pF @ 100 V | - | 63W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-VSON-4 |
|
IPP120P04P404AKSA1MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 120A (Tc) | 10V | 3.8mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 340µA | 205 nC @ 10 V | ±20V | 14790 pF @ 25 V | - | 136W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
