БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS138W L6433MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | SC-70, SOT-323 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 280mA (Ta) | 4.5V, 10V | 3.5Ohm @ 220mA, 10V | 1.4V @ 26µA | 1.5 nC @ 10 V | ±20V | 43 pF @ 25 V | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT323 |
|
|
BSS209PW L6327MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | SC-70, SOT-323 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 580mA (Ta) | 2.5V, 4.5V | 550mOhm @ 580mA, 4.5V | 1.2V @ 3.5µA | 1.38 nC @ 4.5 V | ±12V | 89.9 pF @ 15 V | - | 300mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT323 |
|
|
BSS214NW L6327MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | SC-70, SOT-323 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 1.5A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 140mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1.2V @ 3.7µA | 0.8 nC @ 5 V | ±12V | 143 pF @ 10 V | - | 500mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT323 |
|
|
BSS84PW L6327MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | SC-70, SOT-323 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 150mA (Ta) | 4.5V, 10V | 8Ohm @ 150mA, 10V | 2V @ 20µA | 1.5 nC @ 10 V | ±20V | 19.1 pF @ 25 V | - | 300mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT323 |
|
IPA028N08N3GXKSA1MOSFET N-CH 80V 89A TO220-FP Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 89A (Tc) | 6V, 10V | 2.8mOhm @ 89A, 10V | 3.5V @ 270µA | 206 nC @ 10 V | ±20V | 14200 pF @ 40 V | - | 42W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-FP |
|
|
IPA100N08N3GXKSA1MOSFET N-CH 80V 40A TO220-FP Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 40A (Tc) | 6V, 10V | 10mOhm @ 40A, 10V | 3.5V @ 46µA | 35 nC @ 10 V | ±20V | 2410 pF @ 40 V | - | 35W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-FP |
|
IPA50R399CPXKSA1MOSFET N-CH 500V 9A TO220-FP Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 9A (Tc) | 10V | 399mOhm @ 4.9A, 10V | 3.5V @ 330µA | 23 nC @ 10 V | ±20V | 890 pF @ 100 V | - | 83W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-31 |
|
|
IPA60R520CPXKSA1MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-FP Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 6.8A (Tc) | 10V | 520mOhm @ 3.8A, 10V | 3.5V @ 250µA | 31 nC @ 10 V | ±20V | 630 pF @ 100 V | - | 30W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-31 |
|
IPA60R600CPXKSA1MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-FP Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 6.1A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 3.3A, 10V | 3.5V @ 220µA | 27 nC @ 10 V | ±20V | 550 pF @ 100 V | - | 28W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-31 |
|
|
IPA90R1K0C3XKSA1MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-FP Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 900 V | 5.7A (Tc) | 10V | 1Ohm @ 3.3A, 10V | 3.5V @ 370µA | 34 nC @ 10 V | ±20V | 850 pF @ 100 V | - | 32W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-FP |
