БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF6795MTR1PBFMOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MX | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 32A (Ta), 160A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.8mOhm @ 32A, 10V | 2.35V @ 100µA | 53 nC @ 4.5 V | ±20V | 4280 pF @ 13 V | - | 2.8W (Ta), 75W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MX |
|
IRF6633ATR1PBFMOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MU | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 16A (Ta), 69A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.6mOhm @ 16A, 10V | 2.2V @ 250µA | 17 nC @ 4.5 V | ±20V | 1410 pF @ 10 V | - | 2.3W (Ta), 42W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MU |
|
IPB034N03LGATMA1MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.4mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 51 nC @ 10 V | ±20V | 5300 pF @ 15 V | - | 94W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
|
IPB042N03LGATMA1MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 3 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 70A (Tc) | 4.5V, 10V | 4.2mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±20V | 3900 pF @ 15 V | - | 79W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
|
IPB055N03LGATMA1MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.5mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 31 nC @ 10 V | ±20V | 3200 pF @ 15 V | - | 68W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
|
IPB096N03LGATMA1MOSFET N-CH 30V 35A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 35A (Tc) | 4.5V, 10V | 9.6mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 15 nC @ 10 V | ±20V | 1600 pF @ 15 V | - | 42W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
IPS090N03LGAKMA1MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 40A (Tc) | 4.5V, 10V | 9mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 15 nC @ 10 V | ±20V | 1600 pF @ 15 V | - | 42W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3-11 |
|
|
IPS135N03LGAKMA1MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 30A (Tc) | 4.5V, 10V | 13.5mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 10 nC @ 10 V | ±20V | 1000 pF @ 15 V | - | 31W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3-11 |
|
IPU135N03L GMOSFET N-CH 30V 30A TO251-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 30A (Tc) | 4.5V, 10V | 13.5mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 10 nC @ 10 V | ±20V | 1000 pF @ 15 V | - | 31W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO251-3 |
|
|
IRF6218STRLPBFMOSFET P-CH 150V 27A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 27A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 16A, 10V | 5V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 2210 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
