БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFIZ24EPBFMOSFET N-CH 60V 14A TO220AB FP Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 14A (Tc) | 10V | 71mOhm @ 7.8A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 370 pF @ 25 V | - | 29W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB Full-Pak |
|
IRL2703SPBFMOSFET N-CH 30V 24A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 24A (Tc) | 4.5V, 10V | 40mOhm @ 14A, 10V | 1V @ 250µA | 15 nC @ 4.5 V | ±16V | 450 pF @ 25 V | - | 45W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
IRFR15N20DPBFMOSFET N-CH 200V 17A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 17A (Tc) | 10V | 165mOhm @ 10A, 10V | 5.5V @ 250µA | 41 nC @ 10 V | ±30V | 910 pF @ 25 V | - | 3W (Ta), 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
IRFL4105PBFMOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-261-4, TO-261AA | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 3.7A (Ta) | 10V | 45mOhm @ 3.7A, 10V | 4V @ 250µA | 35 nC @ 10 V | ±20V | 660 pF @ 25 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SOT-223 |
;;3.jpg)
|
IRLU3915PBFMOSFET N-CH 55V 30A IPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 30A (Tc) | 5V, 10V | 14mOhm @ 30A, 10V | 3V @ 250µA | 92 nC @ 10 V | ±16V | 1870 pF @ 25 V | - | 120W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK (TO-251AA) |
|
|
IRFS59N10DPBFMOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 59A (Tc) | 10V | 25mOhm @ 35.4A, 10V | 5.5V @ 250µA | 114 nC @ 10 V | ±30V | 2450 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRL520NSPBFMOSFET N-CH 100V 10A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 10A (Tc) | 4V, 10V | 180mOhm @ 6A, 10V | 2V @ 250µA | 20 nC @ 5 V | ±16V | 440 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 48W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
IRL3202PBFMOSFET N-CH 20V 48A TO220AB Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 48A (Tc) | 4.5V, 7V | 16mOhm @ 29A, 7V | 700mV @ 250µA (Min) | 43 nC @ 4.5 V | ±10V | 2000 pF @ 15 V | - | 69W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
|
IRL3714SPBFMOSFET N-CH 20V 36A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 36A (Tc) | 4.5V, 10V | 20mOhm @ 18A, 10V | 3V @ 250µA | 9.7 nC @ 4.5 V | ±20V | 670 pF @ 10 V | - | 47W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IRLZ44ZSPBFMOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 51A (Tc) | 4.5V, 10V | 13.5mOhm @ 31A, 10V | 3V @ 250µA | 36 nC @ 5 V | ±16V | 1620 pF @ 25 V | - | 80W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
