БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRFS4127TRLMOSFET N-CH 200V 72A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 72A (Tc) | 10V | 22mOhm @ 44A, 10V | 5V @ 250µA | 150 nC @ 10 V | ±20V | 5380 pF @ 50 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
IPC302N12N3X1SA1MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | Die | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 120 V | 1A (Tj) | 10V | 100mOhm @ 2A, 10V | 4V @ 275µA | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | Sawn on foil |
|
IRFIZ48NMOSFET N-CH 55V 36A TO220AB FP Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 36A (Tc) | 10V | 16mOhm @ 22A, 10V | 4V @ 250µA | 89 nC @ 10 V | ±20V | 1900 pF @ 25 V | - | 42W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-FP |
|
IRF6648TR1PBFMOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 86A (Tc) | 10V | 7mOhm @ 17A, 10V | 4.9V @ 150µA | 50 nC @ 10 V | ±20V | 2120 pF @ 25 V | - | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MN |
|
IRF100P219XKMA1MOSFET N-CH 100V TO247AC Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
StrongIRFET™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 203A (Tc) | 6V, 10V | 1.7mOhm @ 100A, 10V | 3.8V @ 278µA | 270 nC @ 10 V | ±20V | 12020 pF @ 50 V | - | 341W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
|
AUIRFS3006-7TRLMOSFET N-CH 60V 293A D2PAK-7P Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 240A (Tc) | - | 2.1mOhm @ 168A, 10V | 4V @ 250µA | 300 nC @ 10 V | - | 8850 pF @ 50 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
IPP04CN10NGXKSA1MV POWER MOS Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 2 | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 100A (Tc) | 10V | 4.2mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 250µA | 210 nC @ 10 V | ±20V | 13800 pF @ 50 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
|
|
IRF6613TR1PBFMOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MT | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 23A (Ta), 150A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.4mOhm @ 23A, 10V | 2.25V @ 250µA | 63 nC @ 4.5 V | ±20V | 5950 pF @ 15 V | - | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MT |
|
|
IRFP140NMOSFET N-CH 100V 33A TO247AC Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-247-3 | Bag | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 33A (Tc) | 10V | 52mOhm @ 16A, 10V | 4V @ 250µA | 94 nC @ 10 V | ±20V | 1400 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
|
|
IRF200S234MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 90A (Tc) | 10V | 16.9mOhm @ 51A, 10V | 5V @ 250µA | 162 nC @ 10 V | ±20V | 6484 pF @ 50 V | - | 417W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
