БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRFS3006-7PMOSFET N-CH 60V 240A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 240A (Tc) | 10V | 2.1mOhm @ 168A, 10V | 4V @ 250µA | 300 nC @ 10 V | ±20V | 8850 pF @ 50 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
IRLI2203NMOSFET N-CH 30V 61A TO220AB FP Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 61A (Tc) | 4.5V, 10V | 7mOhm @ 37A, 10V | 1V @ 250µA | 110 nC @ 4.5 V | ±16V | 3500 pF @ 25 V | - | 47W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-FP |
|
IRF1310NLMOSFET N-CH 100V 42A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 42A (Tc) | 10V | 36mOhm @ 22A, 10V | 4V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 1900 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 160W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
|
IRF3710LMOSFET N-CH 100V 57A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 57A (Tc) | 10V | 23mOhm @ 28A, 10V | 4V @ 250µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 3130 pF @ 25 V | - | 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
IPB80N04S303ATMA1MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ T | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 80A (Tc) | 10V | 3.2mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 120µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 7300 pF @ 25 V | - | 188W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
|
IPP029N06NAKSA1MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 24A (Ta), 100A (Tc) | 6V, 10V | 2.9mOhm @ 100A, 10V | 2.8V @ 75µA | 56 nC @ 10 V | ±20V | 4100 pF @ 30 V | - | 3W (Ta), 136W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
|
IRF3805MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 75A (Tc) | 10V | 3.3mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 290 nC @ 10 V | ±20V | 7960 pF @ 25 V | - | 330W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
|
IRF2804MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 75A (Tc) | 10V | 2.3mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 6450 pF @ 25 V | - | 330W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
AUIRFSL4010MOSFET N CH 100V 180A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 180A (Tc) | - | 4.7mOhm @ 106A, 10V | 4V @ 250µA | 215 nC @ 10 V | - | 9575 pF @ 50 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
|
IPP50R199CPXKSA1MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 550 V | 17A (Tc) | 10V | 199mOhm @ 9.9A, 10V | 3.5V @ 660µA | 45 nC @ 10 V | ±20V | 1800 pF @ 100 V | - | 139W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
