БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP120N10S405AKSA1MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 120A (Tc) | 10V | 5.3mOhm @ 100A, 10V | 3.5V @ 120µA | 91 nC @ 10 V | ±20V | 6540 pF @ 25 V | - | 190W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
|
IPP06CN10N GMOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 100A (Tc) | 10V | 6.5mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 180µA | 139 nC @ 10 V | ±20V | 9200 pF @ 50 V | - | 214W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
|
|
SPP80N04S2-04MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 80A (Tc) | 10V | 3.7mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 6980 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
IRFP4229PBFXKMA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
- | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 44A (Tc) | 10V | 46mOhm @ 26A, 10V | 5V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±30V | 4560 pF @ 25 V | - | 310W (Tc) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247AC |
|
IRF640NLMOSFET N-CH 200V 18A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 18A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 67 nC @ 10 V | ±20V | 1160 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
IRF4104MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 75A (Tc) | 10V | 5.5mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 100 nC @ 10 V | ±20V | 3000 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
|
SPP15N60CFDHKSA1MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 13.4A (Tc) | 10V | 330mOhm @ 9.4A, 10V | 5V @ 750µA | 84 nC @ 10 V | ±20V | 1820 pF @ 25 V | - | 156W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
IRL3102SMOSFET N-CH 20V 61A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 61A (Tc) | 4.5V, 7V | 13mOhm @ 37A, 7V | 700mV @ 250µA (Min) | 58 nC @ 4.5 V | ±10V | 2500 pF @ 15 V | - | 89W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
IRLR8113MOSFET N-CH 30V 94A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 94A (Tc) | 4.5V, 10V | 6mOhm @ 15A, 10V | 2.25V @ 250µA | 32 nC @ 4.5 V | ±20V | 2920 pF @ 15 V | - | 89W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IPP027N08N5XKSA1TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 120A (Tc) | 6V, 10V | 2.7mOhm @ 100A, 10V | 3.8V @ 154µA | 123 nC @ 10 V | ±20V | 8970 pF @ 40 V | - | 214W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
