БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD60R600CPBTMA1MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ CP | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 6.1A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 3.3A, 10V | 3.5V @ 220µA | 27 nC @ 10 V | ±20V | 550 pF @ 100 V | - | 60W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
|
|
IPD65R380E6BTMA1MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 10.6A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 3.2A, 10V | 3.5V @ 320µA | 39 nC @ 10 V | ±20V | 710 pF @ 100 V | - | 83W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
|
IPB60R380P6ATMA1MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ P6 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 10.6A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 3.8A, 10V | 4.5V @ 320µA | 19 nC @ 10 V | ±20V | 877 pF @ 100 V | - | 83W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
IRFB4228PBFXKMA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
0 | - |
|
- |
- | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 83A (Tc) | 10V | 15mOhm @ 33A, 10V | 5V @ 250µA | 107 nC @ 10 V | ±30V | 4530 pF @ 25 V | - | 330W (Tc) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-904 |
|
|
IRFR3710ZTRMOSFET N-CH 100V 42A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 42A (Tc) | 10V | 18mOhm @ 33A, 10V | 4V @ 250µA | 100 nC @ 10 V | ±20V | 2930 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR3710ZTRLMOSFET N-CH 100V 42A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 42A (Tc) | 10V | 18mOhm @ 33A, 10V | 4V @ 250µA | 100 nC @ 10 V | ±20V | 2930 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR3710ZTRRMOSFET N-CH 100V 42A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 42A (Tc) | 10V | 18mOhm @ 33A, 10V | 4V @ 250µA | 100 nC @ 10 V | ±20V | 2930 pF @ 25 V | - | 140W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
IRF6644MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MN | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 10.3A (Ta), 60A (Tc) | 10V | 13mOhm @ 10.3A, 10V | 4.8V @ 150µA | 47 nC @ 10 V | ±20V | 2210 pF @ 25 V | - | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MN |
|
IRFSL4710PBFMOSFET N-CH 100V 75A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 75A (Tc) | 10V | 14mOhm @ 45A, 10V | 5.5V @ 250µA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 6160 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
|
IRFS4321TRRPBFMOSFET N-CH 150V 85A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 85A (Tc) | 10V | 15mOhm @ 33A, 10V | 5V @ 250µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 4460 pF @ 25 V | - | 350W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
