БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9332TRPBFMOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 9.8A (Ta) | 4.5V, 10V | 17.5mOhm @ 9.8A, 10V | 2.4V @ 25µA | 41 nC @ 10 V | ±20V | 1270 pF @ 25 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
|
IRF7420TRMOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 12 V | 11.5A (Tc) | 1.8V, 4.5V | 14mOhm @ 11.5A, 4.5V | 900mV @ 250µA | 38 nC @ 4.5 V | ±8V | 3529 pF @ 10 V | - | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
IRLU3715MOSFET N-CH 20V 54A I-PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 54A (Tc) | 4.5V, 10V | 14mOhm @ 26A, 10V | 3V @ 250µA | 17 nC @ 4.5 V | ±20V | 1060 pF @ 10 V | - | 3.8W (Ta), 71W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
BSP372L6327HTSA1MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 1.7A (Ta) | 5V | 310mOhm @ 1.7A, 5V | 2V @ 1mA | - | ±14V | 520 pF @ 25 V | - | 1.8W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT223-4 |
|
IPD220N06L3GBTMA1MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 30A (Tc) | 4.5V, 10V | 22mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 11µA | 10 nC @ 4.5 V | ±20V | 1600 pF @ 30 V | - | 36W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
|
|
IRFR5505MOSFET P-CH 55V 18A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 18A (Tc) | 10V | 110mOhm @ 9.6A, 10V | 4V @ 250µA | 32 nC @ 10 V | ±20V | 650 pF @ 25 V | - | 57W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRF7426TRMOSFET N-CH 20V 8SO Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 11.5A (Ta) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | 8-SO |
|
SPB21N10TMOSFET N-CH 100V 21A TO263-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 21A (Tc) | 10V | 80mOhm @ 15A, 10V | 4V @ 44µA | 38.4 nC @ 10 V | ±20V | 865 pF @ 25 V | - | 90W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
|
|
IRLR7807ZTRMOSFET N-CH 30V 43A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 43A (Tc) | 4.5V, 10V | 13.8mOhm @ 15A, 10V | 2.25V @ 250µA | 11 nC @ 4.5 V | ±20V | 780 pF @ 15 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
SPB21N10 GMOSFET N-CH 100V 21A TO263-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 21A (Tc) | 10V | 80mOhm @ 15A, 10V | 4V @ 44µA | 38.4 nC @ 10 V | ±20V | 865 pF @ 25 V | - | 90W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
