БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFZ46NLPBFMOSFET N-CH 55V 53A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 53A (Tc) | 10V | 16.5mOhm @ 28A, 10V | 4V @ 250µA | 72 nC @ 10 V | ±20V | 1696 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 107W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
IAUC100N10S5L054ATMA1MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 101A (Tj) | 4.5V, 10V | 5.4mOhm @ 50A, 10V | 2.2V @ 64µA | 53 nC @ 10 V | ±20V | 3744 pF @ 50 V | - | 130W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8-34 |
|
SPP04N50C3HKSA1MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 560 V | 4.5A (Tc) | 10V | 950mOhm @ 2.8A, 10V | 3.9V @ 200µA | 22 nC @ 10 V | ±20V | 470 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
AUIRFZ24NSTRRMOSFET N-CH 55V 17A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 17A (Tc) | 10V | 70mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 370 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 45W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR024NTRRMOSFET N-CH 55V 17A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 17A (Tc) | 10V | 75mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nC @ 10 V | ±20V | 370 pF @ 25 V | - | 45W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR9024NTRLMOSFET P-CH 55V 11A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 11A (Tc) | 10V | 175mOhm @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 19 nC @ 10 V | ±20V | 350 pF @ 25 V | - | 38W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR9120NTRLMOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 6.6A (Tc) | 10V | 480mOhm @ 3.9A, 10V | 4V @ 250µA | 27 nC @ 10 V | ±20V | 350 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR220NTRLMOSFET N-CH 200V 5A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 5A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 2.9A, 10V | 4V @ 250µA | 23 nC @ 10 V | ±20V | 300 pF @ 25 V | - | 43W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR220NTRRMOSFET N-CH 200V 5A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 5A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 2.9A, 10V | 4V @ 250µA | 23 nC @ 10 V | ±20V | 300 pF @ 25 V | - | 43W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
SPP03N60S5HKSA1MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 3.2A (Tc) | 10V | 1.4Ohm @ 2A, 10V | 5.5V @ 135µA | 16 nC @ 10 V | ±20V | 420 pF @ 25 V | - | 38W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
