БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSB104N08NP3GXUSA1MOSFET N-CH 80V 13A/50A 2WDSON Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 3-WDSON | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 13A (Ta), 50A (Tc) | 10V | 10.4mOhm @ 10A, 10V | 3.5V @ 40µA | 31 nC @ 10 V | ±20V | 2100 pF @ 40 V | - | 2.8W (Ta), 42W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
|
IRF3704ZSTRRPBFMOSFET N-CH 20V 67A D2PAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 67A (Tc) | 4.5V, 10V | 7.9mOhm @ 21A, 10V | 2.55V @ 250µA | 13 nC @ 4.5 V | ±20V | 1220 pF @ 10 V | - | 57W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
IRFR3303CPBFMOSFET N-CH 30V 33A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 33A (Tc) | 10V | 31mOhm @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 29 nC @ 10 V | ±20V | 750 pF @ 25 V | - | 57W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IRFR5505CPBFMOSFET P-CH 55V 18A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 18A (Tc) | 10V | 110mOhm @ 9.6A, 10V | 4V @ 250µA | 32 nC @ 10 V | ±20V | 650 pF @ 25 V | - | 57W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
BSP299 E6327MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-261-4, TO-261AA | Tape & Reel (TR) | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 400mA (Ta) | 10V | 4Ohm @ 400mA, 10V | 4V @ 1mA | - | ±20V | 400 pF @ 25 V | - | 1.8W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-SOT223-4-21 |
|
IRF200B211XKMA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 12A (Tc) | 10V | 170mOhm @ 7.2A, 10V | 4.9V @ 50µA | 23 nC @ 10 V | ±20V | 790 pF @ 50 V | - | 80W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-904 |
|
|
SPD50N06S2L-13MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 12.7mOhm @ 34A, 10V | 2V @ 80µA | 69 nC @ 10 V | ±20V | 2300 pF @ 25 V | - | 136W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3-11 |
|
BUZ73MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
SIPMOS® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 7A (Tc) | 10V | 400mOhm @ 4.5A, 10V | 4V @ 1mA | - | ±20V | 530 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
|
IRL3714ZPBFMOSFET N-CH 20V 36A TO220AB Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 36A (Tc) | 4.5V, 10V | 16mOhm @ 15A, 10V | 2.55V @ 250µA | 7.2 nC @ 4.5 V | ±20V | 550 pF @ 10 V | - | 35W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
|
BSC052N03S GMOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 18A (Ta), 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.2mOhm @ 50A, 10V | 2V @ 40µA | 22 nC @ 5 V | ±20V | 2820 pF @ 15 V | - | 2.8W (Ta), 54W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8-6 |
