БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IMW65R060M2HXKSA1IMW65R060M2HXKSA1 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolSiC™ | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 650 V | 32.8A (Tc) | 15V, 20V | 55mOhm @ 15.4A, 20V | 5.6V @ 3.1mA | 19 nC @ 18 V | +23V, -7V | 669 pF @ 400 V | - | 130W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-40 |
|
IPZA60R045P7XKSA1MOSFET N-CH 650V 61A TO247-4-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ P7 | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 61A (Tc) | 10V | 45mOhm @ 22.5A, 10V | 4V @ 1.08mA | 90 nC @ 10 V | ±20V | 3891 pF @ 400 V | - | 201W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-4-3 |
|
|
GS61008P-MRGS61008P-MR Infineon Technologies Canada Inc. |
0 | - |
|
- |
- | 5-SMD, No Lead | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 100 V | 90A (Tc) | 6V | 9.5mOhm @ 27A, 6V | 2.6V @ 7mA | 8 nC @ 6 V | +7V, -10V | 600 pF @ 50 V | - | - | -55°C ~ 150°C | - | - | Surface Mount | - |
|
|
IMW65R040M2HXKSA1SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies |
8 | - |
|
Таблицы данных |
CoolSiC™ Gen 2 | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 650 V | 46A (Tc) | 15V, 20V | 36mOhm @ 22.9A, 20V | 5.6V @ 4.6mA | 28 nC @ 18 V | +23V, -7V | 997 pF @ 400 V | - | 172W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-40 |
|
|
AIMZH120R120M1TXKSA1SIC_DISCRETE Infineon Technologies |
20 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 22A (Tc) | 18V, 20V | 150mOhm @ 7A, 20V | 5.1V @ 2.2mA | 18 nC @ 20 V | +23V, -5V | 458 pF @ 800 V | - | 133W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | PG-TO247-4-11 |
|
|
IPT025N15NM6ATMA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 6 | 8-PowerSFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 26A (Ta), 263A (Tc) | 8V, 15V | 2.4mOhm @ 120A, 15V | 4V @ 275µA | 137 nC @ 10 V | ±20V | 9800 pF @ 75 V | - | 3.8W (Ta), 395W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8-1 |
|
|
IPTG025N15NM6ATMA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 6 | 8-PowerSMD, Gull Wing | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 26A (Ta), 264A (Tc) | 8V, 15V | 2.4mOhm @ 120A, 15V | 4V @ 275µA | 137 nC @ 10 V | ±20V | 9800 pF @ 75 V | - | 3.8W (Ta), 395W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HSOG-8-1 |
|
|
IPTC025N15NM6ATMA1TRENCH >=100V Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 6 | 16-PowerSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150 V | 26A (Ta), 264A (Tc) | 8V, 15V | 2.4mOhm @ 120A, 15V | 4V @ 275µA | 137 nC @ 10 V | ±20V | 9800 pF @ 75 V | - | 3.8W (Ta), 395W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HDSOP-16-2 |
|
|
IMZC120R053M2HXKSA1IMZC120R053M2HXKSA1 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolSiC™ | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 1200 V | 38A (Tc) | 15V, 18V | 53mOhm @ 13A, 18V | 5.1V @ 4.1mA | 30 nC @ 18 V | +23V, -7V | 1010 pF @ 800 V | - | 182W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-4-17 |
|
|
IGLT65R055D2ATMA1IGLT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolGaN™ | 16-PowerSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 31A (Tc) | - | - | 1.6V @ 2.6mA | 4.7 nC @ 3 V | -10V | 340 pF @ 400 V | - | 102W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HDSOP-16-8 |
