БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IQDH88N06LM5CGSCATMA1OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 5 | 9-PowerWDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 42A (Ta), 447A (Tc) | 4.5V, 10V | 0.86mOhm @ 50A, 10V | 2.3V @ 163µA | 95 nC @ 4.5 V | ±20V | 14000 pF @ 30 V | - | 3W (Ta), 333W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-WHTFN-9-U02 |
|
|
IGLR65R140D2XUMA1IGLR65R140D2XUMA1 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolGaN™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 13A (Tc) | - | - | 1.6V @ 1mA | 1.8 nC @ 3 V | -10V | 155 pF @ 400 V | - | 47W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TSON-8-8 |
|
|
IQDH88N06LM5SCATMA1OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 5 | 8-PowerWDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 42A (Ta), 447A (Tc) | 4.5V, 10V | 0.86mOhm @ 50A, 10V | 2.3V @ 163µA | 95 nC @ 4.5 V | ±20V | 14000 pF @ 30 V | - | 3W (Ta), 333W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-WHSON-8-U02 |
|
|
IQFH55N04NM6ATMA1TRENCH <= 40V Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 6 | 12-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 53A (Ta), 451A (Tc) | 6V, 10V | 0.55mOhm @ 100A, 10V | 2.8V @ 1.05mA | 177 nC @ 10 V | ±20V | 11000 pF @ 20 V | - | 3W (Ta), 214W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TSON-12-1 |
|
|
IQD009N06NM5CGSCATMA1OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 5 | 9-PowerWDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 42A (Ta), 445A (Tc) | 6V, 10V | 0.9mOhm @ 50A, 10V | 3.3V @ 163µA | 150 nC @ 10 V | ±20V | 12000 pF @ 30 V | - | 3W (Ta), 333W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-WHTFN-9-U02 |
|
IPP030N10N5AKSA1MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 120A (Tc) | 6V, 10V | 3mOhm @ 100A, 10V | 3.8V @ 184µA | 139 nC @ 10 V | ±20V | 10300 pF @ 50 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
|
|
IQD020N10NM5SCATMA1OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 5 | 8-PowerWDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 26A (Ta), 276A (Tc) | 6V, 10V | 2.05mOhm @ 50A, 10V | 3.8V @ 159µA | 134 nC @ 10 V | ±20V | 9500 pF @ 50 V | - | 3W (Ta), 333W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-WHSON-8-U02 |
|
|
IQD020N10NM5CGSCATMA1OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 5 | 9-PowerWDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 26A (Ta), 276A (Tc) | 6V, 10V | 2.05mOhm @ 50A, 10V | 3.8V @ 159µA | 134 nC @ 10 V | ±20V | 9500 pF @ 50 V | - | 3W (Ta), 333W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-WHTFN-9-U02 |
|
|
IQD016N08NM5CGSCATMA1OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 5 | 9-PowerWDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 31A (Ta), 323A (Tc) | 6V, 10V | 1.57mOhm @ 50A, 10V | 3.8V @ 159µA | 133 nC @ 10 V | ±20V | 9200 pF @ 40 V | - | 3W (Ta), 333W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-WHTFN-9-U02 |
|
|
IQD016N08NM5SCATMA1OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 5 | 8-PowerWDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 31A (Ta), 323A (Tc) | 6V, 10V | 1.57mOhm @ 50A, 10V | 3.8V @ 159µA | 133 nC @ 10 V | ±20V | 9200 pF @ 40 V | - | 3W (Ta), 333W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-WHSON-8-U02 |
