БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB50N10S3L16ATMA1MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 15.4mOhm @ 50A, 10V | 2.4V @ 60µA | 64 nC @ 10 V | ±20V | 4180 pF @ 25 V | - | 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
|
IRFSL3207ZPBFMOSFET N-CH 75V 120A TO262 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 120A (Tc) | 10V | 4.1mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 170 nC @ 10 V | ±20V | 6920 pF @ 50 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
IPD80R360P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ P7 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 13A (Tc) | 10V | 360mOhm @ 5.6A, 10V | 3.5V @ 280µA | 30 nC @ 10 V | ±20V | 930 pF @ 500 V | - | 84W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
|
IPB60R180C7ATMA1MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ C7 | TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 13A (Tc) | 10V | 130mOhm @ 5.3A, 10V | 4V @ 260µA | 24 nC @ 10 V | ±20V | 1080 pF @ 400 V | - | 68W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3 |
|
IPZA60R060P7XKSA1MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ P7 | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 48A (Tc) | 10V | 60mOhm @ 15.9A, 10V | 4V @ 800µA | 67 nC @ 10 V | ±20V | 2895 pF @ 400 V | - | 164W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-4 |
|
|
IPB120N06S403ATMA2MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 120A (Tc) | 10V | 3.2mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 120µA | 160 nC @ 10 V | ±20V | 13150 pF @ 25 V | - | 167W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
|
|
IPB80N06S2L07ATMA3MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.7mOhm @ 60A, 10V | 2V @ 150µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 3160 pF @ 25 V | - | 210W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO263-3-2 |
|
IQE065N10NM5CGSCATMA1OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ 5 | 9-PowerWDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 13A (Ta), 85A (Tc) | 6V, 10V | 6.5mOhm @ 20A, 10V | 3.8V @ 48µA | 43 nC @ 10 V | ±20V | 3000 pF @ 50 V | - | 2.5W (Ta), 100W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-WHTFN-9-1 |
|
IRF60DM206MOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
StrongIRFET™ | DirectFET™ Isometric ME | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 130A (Tc) | 6V, 10V | 2.9mOhm @ 80A, 10V | 3.7V @ 150µA | 200 nC @ 10 V | ±20V | 6530 pF @ 25 V | - | 96W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DirectFET™ Isometric ME |
|
IPW65R060CFD7XKSA1650V FET COOLMOS TO247 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ CFD7 | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 36A (Tc) | 10V | 60mOhm @ 16.4A, 10V | 4.5V @ 860µA | 68 nC @ 10 V | ±20V | 3288 pF @ 400 V | - | 171W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3 |
