БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD80R4K5P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 1.5A (Tc) | 10V | 4.5Ohm @ 400mA, 10V | 3.5V @ 200µA | 4 nC @ 10 V | ±20V | 80 pF @ 500 V | - | 13W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3 |
|
IPP023N04NGXKSA1MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 90A (Tc) | 10V | 2.3mOhm @ 90A, 10V | 4V @ 95µA | 120 nC @ 10 V | ±20V | 10000 pF @ 20 V | - | 167W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3 |
|
IPAN80R360P7XKSA1MOSFET N-CH 800V 13A TO220 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ P7 | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 13A (Tc) | 10V | 360mOhm @ 5.6A, 10V | 3.5V @ 280µA | 30 nC @ 10 V | ±20V | 930 pF @ 500 V | - | 30W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-FP |
|
|
IPA65R190C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 8A TO220-FP Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ C7 | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 8A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 5.7A, 10V | 4V @ 290µA | 23 nC @ 10 V | ±20V | 1150 pF @ 400 V | - | 30W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-FP |
|
IPA032N06N3GXKSA1MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 84A (Tc) | 10V | 3.2mOhm @ 80A, 10V | 4V @ 118µA | 165 nC @ 10 V | ±20V | 13000 pF @ 30 V | - | 41W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-31 |
|
|
IPD90N04S4L04ATMA1MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 90A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.8mOhm @ 90A, 10V | 2.2V @ 35µA | 60 nC @ 10 V | +20V, -16V | 4690 pF @ 25 V | - | 71W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TO252-3-313 |
|
IPI024N06N3GXKSA1MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 120A (Tc) | 10V | 2.4mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 196µA | 275 nC @ 10 V | ±20V | 23000 pF @ 30 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262-3-1 |
|
IPLK70R750P7ATMA1MOSFET N-CH 700V TDSON-8 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ P7 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8 |
|
|
IPA80R310CEXKSA2MOSFET N-CH 800V 16.7A TO220-FP Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 16.7A (Tc) | 10V | 310mOhm @ 11A, 10V | 3.9V @ 1mA | 91 nC @ 10 V | ±20V | 2320 pF @ 100 V | - | 35W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-FP |
|
|
IPLK80R2K0P7ATMA1MOSFET 800V TDSON-8 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ P7 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | - | - | - | - | - | ±20V | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8 |
