БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRF1324MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-220-3 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 24 V | 195A (Tc) | 10V | 1.5mOhm @ 195A, 10V | 4V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 7590 pF @ 24 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220AB |
;;3.jpg)
|
IRFU5410PBFMOSFET P-CH 100V 13A IPAK Infineon Technologies |
2,232 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Last Time Buy | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 13A (Tc) | 10V | 205mOhm @ 7.8A, 10V | 4V @ 250µA | 58 nC @ 10 V | ±20V | 760 pF @ 25 V | - | 66W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK (TO-251AA) |
|
IPI80N06S2L05AKSA2MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 Infineon Technologies |
500 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 80A (Tc) | 10V | 4.8mOhm @ 80A, 10V | 2V @ 250µA | 230 nC @ 10 V | ±20V | 5700 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262-3-1 |
|
AUIRL1404SMOSFET N-CH 40V 160A DPAK Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 160A (Tc) | 4.3V, 10V | 4mOhm @ 95A, 10V | 3V @ 250µA | 140 nC @ 5 V | ±20V | 6600 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
IPD80P03P4L07ATMA1MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3 Infineon Technologies |
764 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 80A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.8mOhm @ 80A, 10V | 2V @ 130µA | 80 nC @ 10 V | +5V, -16V | 5700 pF @ 25 V | - | 88W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TO252-3-11 |
|
|
IRFR3504ZTRPBFMOSFET N-CH 40V 42A DPAK Infineon Technologies |
3,071 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 42A (Tc) | 10V | 9mOhm @ 42A, 10V | 4V @ 250µA | 45 nC @ 10 V | ±20V | 1510 pF @ 25 V | - | 90W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
|
|
IPI120N06S402AKSA2MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 120A (Tc) | 10V | 2.8mOhm @ 100A, 10V | 4V @ 140µA | 195 nC @ 10 V | ±20V | 15750 pF @ 25 V | - | 188W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262-3-1 |
|
BSB013NE2LXIXUMA1MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 3-WDSON | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 36A (Ta), 163A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.3mOhm @ 30A, 10V | 2V @ 250µA | 62 nC @ 10 V | ±20V | 4400 pF @ 12 V | - | 2.8W (Ta), 57W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
|
|
IPD70P04P4L08ATMA1MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3 Infineon Technologies |
5,000 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 70A (Tc) | 4.5V, 10V | 7.8mOhm @ 70A, 10V | 2.2V @ 120µA | 92 nC @ 10 V | ±16V | 5430 pF @ 25 V | - | 75W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | PG-TO252-3-313 |
|
IPA80R1K2P7XKSA1MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220 Infineon Technologies |
467 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ P7 | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 4.5A (Tc) | 10V | 1.2Ohm @ 1.7A, 10V | 3.5V @ 80µA | 11 nC @ 10 V | ±20V | 300 pF @ 500 V | - | 25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-FP |
