БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPI15N60CFDN-CHANNEL POWER MOSFET Infineon Technologies |
415 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 13.4A (Tc) | 10V | 330mOhm @ 9.4A, 10V | 5V @ 750µA | 84 nC @ 10 V | ±20V | 1820 pF @ 25 V | - | 156W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262-3-1 |
|
IPLK60R600PFD7ATMA1MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK Infineon Technologies |
4,968 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ PFD7 | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 7A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 1.7A, 10V | 4.5V @ 80µA | 8.5 nC @ 10 V | ±20V | 344 pF @ 400 V | - | 45W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TDSON-8-52 |
|
SPI15N65C3XKSA1MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 15A (Tc) | 10V | 280mOhm @ 9.4A, 10V | 3.9V @ 675µA | 63 nC @ 10 V | ±20V | 1600 pF @ 25 V | - | 156W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO262-3-1 |
|
IRF6619MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET Infineon Technologies |
13,859 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MX | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 30A (Ta), 150A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.2mOhm @ 30A, 10V | 2.45V @ 250µA | 57 nC @ 4.5 V | ±20V | 5040 pF @ 10 V | - | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MX |
|
|
IRF6619TR1MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET Infineon Technologies |
7,158 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | DirectFET™ Isometric MX | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 30A (Ta), 150A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.2mOhm @ 30A, 10V | 2.45V @ 250µA | 57 nC @ 4.5 V | ±20V | 5040 pF @ 10 V | - | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DIRECTFET™ MX |
|
SPW11N60C3FKSA1MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-247-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 11A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 7A, 10V | 3.9V @ 500µA | 60 nC @ 10 V | ±20V | 1200 pF @ 25 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO247-3-1 |
|
SPP15N65C3XKSA1N-CHANNEL POWER MOSFET Infineon Technologies |
6,300 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 650 V | 15A (Tc) | 10V | 280mOhm @ 9.4A, 10V | 3.9V @ 675µA | 63 nC @ 10 V | ±20V | 1600 pF @ 25 V | - | 156W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-3-1 |
|
|
AUIRFSL8408MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Infineon Technologies |
450 | - |
|
Таблицы данных |
HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 195A (Tc) | - | 1.6mOhm @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 324 nC @ 10 V | - | 10820 pF @ 25 V | - | 294W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 |
|
BSZ037N06LS5ATMA1MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON Infineon Technologies |
9,175 | - |
|
Таблицы данных |
OptiMOS™ | 8-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 18A (Ta), 40A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.7mOhm @ 20A, 10V | 2.3V @ 36µA | 47 nC @ 10 V | ±20V | 3100 pF @ 30 V | - | 2.1W (Ta), 69W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-TSDSON-8-34 |
|
IPAW60R380CEXKSA1MOSFET N-CH 600V 15A TO220 Infineon Technologies |
0 | - |
|
Таблицы данных |
CoolMOS™ | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 15A (Tc) | 10V | 380mOhm @ 3.8A, 10V | 3.5V @ 320µA | 32 nC @ 10 V | ±20V | 700 pF @ 100 V | - | 31W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | PG-TO220-FP |
