Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Технология | Конфигурация | Характеристика FET | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Мощность - макс. | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MSCSM120X10CTYZBNMGMOSFET 6N-CH 1200V 28A Microchip Technology |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | Module | Bulk | Active | Silicon Carbide (SiC) | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | - | 1200V (1.2kV) | 28A (Tc), 49A (Tc) | 100mOhm @ 15A, 20V, 50mOhm @ 40A, 20V | 2.8V @ 1mA, 2.7V @ 2mA | 64nC @ 20V, 137nC @ 20V | 838pF @ 1000V, 1990pF @ 1000V | 116W (Tc), 196W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | - |
![]() |
MSCSM70XM45CTYZBNMGMOSFET 6N-CH 700V 52A Microchip Technology |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | Module | Bulk | Active | Silicon Carbide (SiC) | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | - | 700V | 52A (Tc), 110A (Tc) | 44mOhm @ 30A, 20V, 19mOhm @ 40A, 20V | 2.7V @ 2mA, 2.4V @ 4mA | 99nC @ 20V, 215nC @ 20V | 2010pF @ 700V, 4500pF @ 700V | 141W (Tc), 292W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | - |
![]() |
DRF1510-CLASS-DRF MOSFET (VDMOS) FULL-BRIDGE 13 Microchip Technology |
0 |
|
- |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |