FET, массивы MOSFET

    制造商 Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Фотографии Производитель. Часть # Доступность Price Количество Таблицы данных Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Технология Конфигурация Характеристика FET Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Мощность - макс. Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    APTC60HM70SCTG

    APTC60HM70SCTG

    MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTC60HM70SCTG

    Таблицы данных

    CoolMOS™ SP4 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel (Full Bridge) - 600V 39A 70mOhm @ 39A, 10V 3.9V @ 2.7mA 259nC @ 10V 7000pF @ 25V 250W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP4
    APTC60HM70T1G

    APTC60HM70T1G

    MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTC60HM70T1G

    Таблицы данных

    - SP1 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel (Full Bridge) - 600V 39A 70mOhm @ 39A, 10V 3.9V @ 2.7mA 259nC @ 10V 7000pF @ 25V 250W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP1
    APTMC60TL11CT3AG

    APTMC60TL11CT3AG

    MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTMC60TL11CT3AG

    Таблицы данных

    - SP3 Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 1200V (1.2kV) 28A (Tc) 98mOhm @ 20A, 20V 2.2V @ 1mA 49nC @ 20V 950pF @ 1000V 125W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    APTMC120AM08CD3AG

    APTMC120AM08CD3AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTMC120AM08CD3AG

    Таблицы данных

    - D-3 Module Bulk Last Time Buy Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 250A (Tc) 10mOhm @ 200A, 20V 2.2V @ 10mA (Typ) 490nC @ 20V 9500pF @ 1000V 1100W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount D3
    APTMC120AM16CD3AG

    APTMC120AM16CD3AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTMC120AM16CD3AG

    Таблицы данных

    - D-3 Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 131A (Tc) 20mOhm @ 100A, 20V 2.2V @ 5mA (Typ) 246nC @ 20V 4750pF @ 1000V 625W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount D3
    APTMC120AM55CT1AG

    APTMC120AM55CT1AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTMC120AM55CT1AG

    Таблицы данных

    - SP1 Bulk Last Time Buy Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 55A (Tc) 49mOhm @ 40A, 20V 2.2V @ 2mA (Typ) 98nC @ 20V 1900pF @ 1000V 250W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP1
    APTMC120TAM33CTPAG

    APTMC120TAM33CTPAG

    MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTMC120TAM33CTPAG

    Таблицы данных

    - SP6 Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 1200V (1.2kV) 78A (Tc) 33mOhm @ 60A, 20V 2.2V @ 3mA (Typ) 148nC @ 20V 2850pF @ 1000V 370W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP6-P
    APTMC60TLM55CT3AG

    APTMC60TLM55CT3AG

    MOSFET 4N-CH 1200V 48A SP3

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTMC60TLM55CT3AG

    Таблицы данных

    - SP3 Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 4 N-Channel (Three Level Inverter) - 1200V (1.2kV) 48A (Tc) 49mOhm @ 40A, 20V 2.2V @ 2mA (Typ) 98nC @ 20V 1900pF @ 1000V 250W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    APTMC120AM20CT1AG

    APTMC120AM20CT1AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTMC120AM20CT1AG

    Таблицы данных

    - SP1 Bulk Last Time Buy Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 143A (Tc) 17mOhm @ 100A, 20V 2.3V @ 2mA (Typ) 360nC @ 20V 5960pF @ 1000V 600W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP1
    APTMC120AM12CT3AG

    APTMC120AM12CT3AG

    MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3

    Microchip Technology

    0
    RFQ
    APTMC120AM12CT3AG

    Таблицы данных

    - SP3 Bulk Last Time Buy Silicon Carbide (SiC) 2 N Channel (Phase Leg) - 1200V (1.2kV) 220A (Tc) 12mOhm @ 150A, 20V 2.4V @ 30mA (Typ) 483nC @ 20V 8400pF @ 1000V 925W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP3
    Общий 303 Записывать«Предыдущая1... 2425262728293031Следующий»
    HOME

    ДОМ

    PRODUCT

    ПРОДУКТ

    PHONE

    ТЕЛЕФОН

    USER

    ПОЛЬЗОВАТЕЛЬ