Одиночные, предварительно смещенные биполярные транзисторы

    制造商 Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип транзистора Ток - Коллектор (Ic) (Макс.) Напряжение - Коллектор-Эмиттер Пробой (Макс.) Резистор - База (R1) Резистор - Эмиттер База (R2) Усиление постоянного тока (hFE) (Мин.) @ Ic, Vce Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic Ток - Коллектор Отсечка (Макс.) Частота - Переход Мощность - макс. Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Фотографии Производитель. Часть # Доступность Price Количество Таблицы данных Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип транзистора Ток - Коллектор (Ic) (Макс.) Напряжение - Коллектор-Эмиттер Пробой (Макс.) Резистор - База (R1) Резистор - Эмиттер База (R2) Усиление постоянного тока (hFE) (Мин.) @ Ic, Vce Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic Ток - Коллектор Отсечка (Макс.) Частота - Переход Мощность - макс. Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    KSR1102MTF

    KSR1102MTF

    TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23

    Fairchild Semiconductor

    30,000
    RFQ
    KSR1102MTF

    Таблицы данных

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active NPN - Pre-Biased 100 mA 50 V - - 30 @ 5mA, 5V 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) - 200 mW - - Surface Mount SOT-23
    KSR1004BU

    KSR1004BU

    TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3

    Fairchild Semiconductor

    40,000
    RFQ
    KSR1004BU

    Таблицы данных

    - TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bulk Obsolete NPN - Pre-Biased 100 mA 50 V 47 kOhms 47 kOhms 68 @ 5mA, 5V 300mV @ 500µA, 10mA 100nA 250 MHz 300 mW - - Through Hole TO-92-3
    FJN3306RTA

    FJN3306RTA

    TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3

    Fairchild Semiconductor

    0
    RFQ
    FJN3306RTA

    Таблицы данных

    - TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Bulk Obsolete NPN - Pre-Biased 100 mA 50 V 10 kOhms 47 kOhms 68 @ 5mA, 5V 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 250 MHz 300 mW - - Through Hole TO-92-3
    Общий 43 Записывать«Предыдущая12345Следующий»
    HOME

    ДОМ

    PRODUCT

    ПРОДУКТ

    PHONE

    ТЕЛЕФОН

    USER

    ПОЛЬЗОВАТЕЛЬ