Одиночные, предварительно смещенные биполярные транзисторы

    制造商 Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип транзистора Ток - Коллектор (Ic) (Макс.) Напряжение - Коллектор-Эмиттер Пробой (Макс.) Резистор - База (R1) Резистор - Эмиттер База (R2) Усиление постоянного тока (hFE) (Мин.) @ Ic, Vce Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic Ток - Коллектор Отсечка (Макс.) Частота - Переход Мощность - макс. Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Фотографии Производитель. Часть # Доступность Price Количество Таблицы данных Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип транзистора Ток - Коллектор (Ic) (Макс.) Напряжение - Коллектор-Эмиттер Пробой (Макс.) Резистор - База (R1) Резистор - Эмиттер База (R2) Усиление постоянного тока (hFE) (Мин.) @ Ic, Vce Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic Ток - Коллектор Отсечка (Макс.) Частота - Переход Мощность - макс. Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FJY3002R

    FJY3002R

    TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523F

    Fairchild Semiconductor

    529,473
    RFQ
    FJY3002R

    Таблицы данных

    - SC-89, SOT-490 Bulk Active NPN - Pre-Biased 100 mA 50 V 10 kOhms 10 kOhms 30 @ 5mA, 5V 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 250 MHz 200 mW - - Surface Mount SOT-523F
    FJNS4202RTA

    FJNS4202RTA

    TRANS PREBIAS PNP 50V TO92S

    Fairchild Semiconductor

    477,000
    RFQ
    FJNS4202RTA

    Таблицы данных

    - TO-226-3, TO-92-3 Short Body Bulk Obsolete PNP - Pre-Biased 100 mA 50 V 10 kOhms 10 kOhms 30 @ 5mA, 5V 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 200 MHz 300 mW - - Through Hole TO-92S
    FJX3007RTF

    FJX3007RTF

    TRANS PREBIAS NPN 50V SC70

    Fairchild Semiconductor

    417,000
    RFQ
    FJX3007RTF

    Таблицы данных

    - SC-70, SOT-323 Bulk Active NPN - Pre-Biased 100 mA 50 V 22 kOhms 47 kOhms 68 @ 5mA, 5V 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 250 MHz 200 mW - - Surface Mount SC-70 (SOT323)
    FJV3103RMTF

    FJV3103RMTF

    TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

    Fairchild Semiconductor

    244,400
    RFQ
    FJV3103RMTF

    Таблицы данных

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active NPN - Pre-Biased 100 mA 50 V 22 kOhms 22 kOhms 56 @ 5mA, 5V 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 250 MHz 200 mW - - Surface Mount SOT-23-3
    FJNS3201RTA

    FJNS3201RTA

    TRANS PREBIAS NPN 50V TO92S

    Fairchild Semiconductor

    138,000
    RFQ
    FJNS3201RTA

    Таблицы данных

    - TO-226-3, TO-92-3 Short Body Bulk Obsolete NPN - Pre-Biased 100 mA 50 V 4.7 kOhms 4.7 kOhms 20 @ 10mA, 5V 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 250 MHz 300 mW - - Through Hole TO-92S
    FJN3309RTA

    FJN3309RTA

    TRANS PREBIAS NPN 40V TO92-3

    Fairchild Semiconductor

    126,000
    RFQ
    FJN3309RTA

    Таблицы данных

    - TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Bulk Obsolete NPN - Pre-Biased 100 mA 40 V 4.7 kOhms - 100 @ 1mA, 5V 300mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 250 MHz 300 mW - - Through Hole TO-92-3
    FJN4305RTA

    FJN4305RTA

    TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3

    Fairchild Semiconductor

    104,753
    RFQ
    FJN4305RTA

    Таблицы данных

    - TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Bulk Active PNP - Pre-Biased 100 mA 50 V 4.7 kOhms 10 kOhms 30 @ 5mA, 5V 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 200 MHz 300 mW - - Through Hole TO-92-3
    FJN3310RTA

    FJN3310RTA

    TRANS PREBIAS NPN 40V TO92-3

    Fairchild Semiconductor

    104,000
    RFQ
    FJN3310RTA

    Таблицы данных

    - TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Bulk Obsolete NPN - Pre-Biased 100 mA 40 V 10 kOhms - 100 @ 1mA, 5V 300mV @ 1mA, 10mA 100nA (ICBO) 250 MHz 300 mW - - Through Hole TO-92-3
    FJV3101RLIMTF

    FJV3101RLIMTF

    TRANS PREBIAS

    Fairchild Semiconductor

    102,000
    RFQ

    -

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
    FJV4101RMTF

    FJV4101RMTF

    TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

    Fairchild Semiconductor

    63,879
    RFQ
    FJV4101RMTF

    Таблицы данных

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active PNP - Pre-Biased 100 mA 50 V 4.7 kOhms 4.7 kOhms 20 @ 10mA, 5V 300mV @ 500µA, 10mA 100nA (ICBO) 200 MHz 200 mW - - Surface Mount SOT-23-3
    Общий 43 Записывать«Предыдущая12345Следующий»
    HOME

    ДОМ

    PRODUCT

    ПРОДУКТ

    PHONE

    ТЕЛЕФОН

    USER

    ПОЛЬЗОВАТЕЛЬ