Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Технология | Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) | Ток - Средний выпрямленный (Io) | Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If | Скорость | Время обратного восстановления (trr) | Ток - Обратный утечка @ Vr | Емкость @ Vr, F | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка | Рабочая температура - Переход |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
S6JDIODE GEN PURP 600V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | DO-203AA, DO-4, Stud | Bulk | Active | Standard | 600 V | 6A | 1.1 V @ 6 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 10 µA @ 100 V | - | - | - | Chassis, Stud Mount | DO-4 | -65°C ~ 175°C |
![]() |
S6JRDIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | DO-203AA, DO-4, Stud | Bulk | Active | Standard, Reverse Polarity | 600 V | 6A | 1.1 V @ 6 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 10 µA @ 100 V | - | - | - | Chassis, Stud Mount | DO-4 | -65°C ~ 175°C |
![]() |
S6KDIODE GEN PURP 800V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | DO-203AA, DO-4, Stud | Bulk | Active | Standard | 800 V | 6A | 1.1 V @ 6 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 10 µA @ 100 V | - | - | - | Chassis, Stud Mount | DO-4 | -65°C ~ 175°C |
![]() |
S6KRDIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | DO-203AA, DO-4, Stud | Bulk | Active | Standard, Reverse Polarity | 800 V | 6A | 1.1 V @ 6 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 10 µA @ 100 V | - | - | - | Chassis, Stud Mount | DO-4 | -65°C ~ 175°C |
![]() |
S6MDIODE GEN PURP 1KV 6A DO4 GeneSiC Semiconductor |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | DO-203AA, DO-4, Stud | Bulk | Active | Standard | 1000 V | 6A | 1.1 V @ 6 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 10 µA @ 100 V | - | - | - | Chassis, Stud Mount | DO-4 | -65°C ~ 175°C |
![]() |
S6MRDIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4 GeneSiC Semiconductor |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | DO-203AA, DO-4, Stud | Bulk | Active | Standard, Reverse Polarity | 1000 V | 6A | 1.1 V @ 6 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 10 µA @ 100 V | - | - | - | Chassis, Stud Mount | DO-4 | -65°C ~ 175°C |
![]() |
S6QDIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4 GeneSiC Semiconductor |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | DO-203AA, DO-4, Stud | Bulk | Active | Standard | 1200 V | 6A | 1.1 V @ 6 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 10 µA @ 100 V | - | - | - | Chassis, Stud Mount | DO-4 | -65°C ~ 175°C |
![]() |
S6QRDIODE GEN PURP REV 1.2KV 6A DO4 GeneSiC Semiconductor |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | DO-203AA, DO-4, Stud | Bulk | Active | Standard, Reverse Polarity | 1200 V | 6A | 1.1 V @ 6 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | 10 µA @ 100 V | - | - | - | Chassis, Stud Mount | DO-4 | -65°C ~ 175°C |
![]() |
GC05MPS12-220DIODE SIL CARB 1.2KV 29A TO220-2 GeneSiC Semiconductor |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
- | TO-220-2 | Tube | Obsolete | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 29A | 1.8 V @ 5 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 4 µA @ 1200 V | 359pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C |
![]() |
GC10MPS12-220DIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO220-2 GeneSiC Semiconductor |
0 |
|
![]() Таблицы данных |
SiC Schottky MPS™ | TO-220-2 | Tube | Obsolete | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 54A | 1.8 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 10 µA @ 1200 V | 660pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C |