Диодные матрицы

    制造商 Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Конфигурация диода Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Рабочая температура - Переход Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка






























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Фотографии Производитель. Часть # Доступность Price Количество Таблицы данных Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Конфигурация диода Технология Напряжение - Обратный постоянный ток (Vr) (макс.) Ток - Средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение - Прямой (Vf) (макс.) @ If Скорость Время обратного восстановления (trr) Ток - Обратный утечка @ Vr Рабочая температура - Переход Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    GD2X50MPS12N

    GD2X50MPS12N

    DIODE MOD SIC 1200V 76A SOT-227

    GeneSiC Semiconductor

    221
    RFQ
    GD2X50MPS12N

    Таблицы данных

    SiC Schottky MPS™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 76A (DC) 1.8 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 15 µA @ 1200 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
    GD2X25MPS17N

    GD2X25MPS17N

    DIODE MOD SIC 1700V 50A SOT-227

    GeneSiC Semiconductor

    184
    RFQ
    GD2X25MPS17N

    Таблицы данных

    SiC Schottky MPS™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 50A (DC) 1.8 V @ 25 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
    MBR2X120A045

    MBR2X120A045

    DIODE MOD SCHOTT 45V 120A SOT227

    GeneSiC Semiconductor

    308
    RFQ
    MBR2X120A045

    Таблицы данных

    - SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Schottky 45 V 120A 700 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 45 V -40°C ~ 150°C - - Chassis Mount SOT-227
    GD2X150MPS06N

    GD2X150MPS06N

    DIODE MOD SIC 650V 150A SOT-227

    GeneSiC Semiconductor

    418
    RFQ
    GD2X150MPS06N

    Таблицы данных

    SiC Schottky MPS™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 150A (DC) 1.8 V @ 150 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 650 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
    GD2X75MPS17N

    GD2X75MPS17N

    DIODE MOD SIC 1700V 115A SOT-227

    GeneSiC Semiconductor

    214
    RFQ
    GD2X75MPS17N

    Таблицы данных

    SiC Schottky MPS™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 115A (DC) - No Recovery Time > 500mA (Io) - - -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
    GD2X30MPS12D

    GD2X30MPS12D

    DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3

    GeneSiC Semiconductor

    569
    RFQ
    GD2X30MPS12D

    Таблицы данных

    SiC Schottky MPS™ TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 55A (DC) 1.8 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 1200 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-247-3
    GD2X30MPS12N

    GD2X30MPS12N

    DIODE MOD SIC 1200V 52A SOT-227

    GeneSiC Semiconductor

    220
    RFQ
    GD2X30MPS12N

    Таблицы данных

    SiC Schottky MPS™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 52A (DC) - No Recovery Time > 500mA (Io) - - -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
    GD2X60MPS06N

    GD2X60MPS06N

    DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227

    GeneSiC Semiconductor

    369
    RFQ
    GD2X60MPS06N

    Таблицы данных

    SiC Schottky MPS™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 70A (DC) 1.8 V @ 60 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 650 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
    GD2X100MPS12N

    GD2X100MPS12N

    DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227

    GeneSiC Semiconductor

    102
    RFQ
    GD2X100MPS12N

    Таблицы данных

    MSP SOT-227-4, miniBLOC Tube Active 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 136A (DC) 1.8 V @ 100 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 1200 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
    MBRT200100

    MBRT200100

    DIODE MOD SCHOT 100V 100A 3TOWER

    GeneSiC Semiconductor

    112
    RFQ
    MBRT200100

    Таблицы данных

    - Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Cathode Schottky 100 V 100A 880 mV @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 20 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
    Общий 849 Записывать«Предыдущая1234...85Следующий»
    HOME

    ДОМ

    PRODUCT

    ПРОДУКТ

    PHONE

    ТЕЛЕФОН

    USER

    ПОЛЬЗОВАТЕЛЬ