Домой > Продукты > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > IGBT > Массивы IGBT

Массивы IGBT

制造商	Серия	Корпус/корпус	Упаковка	Состояние продукта	Тип IGBT	Конфигурация	Напряжение - Коллектор-Эмиттер Пробой (Макс.)	Ток - Коллектор (Ic) (Макс.)	Мощность - макс.	Vce(on) (макс.) @ Vge, Ic	Ток - Коллектор Отсечка (Макс.)	Входная емкость (Cies) @ Vce	Вход	NTC термистор	Рабочая температура	Тип крепления	Устройство поставщика Упаковка
Alpha & Omega Semiconductor Inc. IXYS STMicroelectronics	* - BIMOSFET™ ISOPLUS™	- 24-SMD Module, 9 Leads 9-SMD Module i4-Pac™-4, Isolated i4-Pac™-5	Box Bulk Tape & Reel (TR) Tube	Active Obsolete	- NPT PT	- Full Bridge Half Bridge	- 1200 V 1700 V 2500 V 3000 V 600 V	- 18 A 23 A 30 A 32 A 33 A 34 A 38 A 40 A 43 A 50 A 63 A	- 100 W 125 W 130 W 140 W 150 W 200 W 230 W	- 2.15V @ 15V, 35A 2.1V @ 15V, 15A 2.2V @ 15V, 25A 2.4V @ 15V, 20A 2.6V @ 15V, 30A 2.7V @ 15V, 22A 2.9V @ 15V, 20A 3.1V @ 15V, 20A 3.2V @ 15V, 20A 6V @ 15V, 16A	- 10 µA 100 µA 125 µA 150 µA 2.1 mA 200 µA 35 µA 400 µA 600 µA	- 1.1 nF @ 25 V 1.19 nF @ 15 V 1.2 nF @ 25 V 1.6 nF @ 25 V 2 nF @ 25 V 2.2 nF @ 25 V 2.4 nF @ 25 V	- Standard	- No	- -55°C ~ 150°C (TJ)	- Surface Mount Through Hole	- 24-SMPD ISOPLUS i4-PAC™ ISOPLUS-SMPD™.B

全部重置

应用所有

结果:

Фотографии Производитель. Часть # Доступность Price Количество Таблицы данных Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип IGBT Конфигурация Напряжение - Коллектор-Эмиттер Пробой (Макс.) Ток - Коллектор (Ic) (Макс.) Мощность - макс. Vce(on) (макс.) @ Vge, Ic Ток - Коллектор Отсечка (Макс.) Входная емкость (Cies) @ Vce Вход NTC термистор Рабочая температура Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

STGSH50M120D

TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,

STMicroelectronics

RFQ

Tape & Reel (TR)

Active

ДОМ

ПРОДУКТ

ТЕЛЕФОН

ПОЛЬЗОВАТЕЛЬ

live:.cid.5960b8633e87c883