БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
EPC7003ASHGAN FET HEMT 100V 10A.045OHM 4UB EPC Space, LLC |
25 | - |
|
Таблицы данных |
eGaN®, FSMD-A | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel, Depletion Mode | GaNFET (Gallium Nitride) | 100 V | 10A (Tc) | 5V | 45mOhm @ 10A, 5V | 2.5V @ 1.4mA | 2.2 nC @ 5 V | +6V, -4V | 233 pF @ 50 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
|
|
EPC7004BSHGAN FET HEMT EPC Space, LLC |
25 | - |
|
Таблицы данных |
eGaN®, FSMD-B | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 100 V | 30A (Tc) | 5V | 15mOhm @ 30A, 5V | 2.5V @ 7mA | 11 nC @ 5 V | +6V, -4V | 1000 pF @ 50 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-FSMD-B |
|
|
EPC7020GCGAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB EPC Space, LLC |
0 | - |
|
Таблицы данных |
eGaN® | 5-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 200 V | 80A (Tc) | 5V | 14.5mOhm @ 30A, 5V | 2.5V @ 7mA | - | +6V, -4V | 1313 pF @ 100 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 5-SMD |
|
|
EPC7020GSHGAN FET HEMT 200V 80A 5UB EPC Space, LLC |
0 | - |
|
Таблицы данных |
eGaN® | 5-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 200 V | 80A (Tc) | 5V | 14.5mOhm @ 30A, 5V | 2.5V @ 7mA | 13.5 nC @ 100 V | +6V, -4V | 1313 pF @ 100 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 5-SMD |
|
|
FBG10N05ASHGAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A EPC Space, LLC |
0 | - |
|
Таблицы данных |
eGaN® | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 100 V | 5A (Tc) | 5V | 45mOhm @ 5A, 5V | 2.5V @ 1.2mA | 2.2 nC @ 5 V | +6V, -4V | 233 pF @ 50 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
|
|
FBG20N04ASHGAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A EPC Space, LLC |
0 | - |
|
Таблицы данных |
e-GaN® | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 200 V | 4A (Tc) | 5V | 130mOhm @ 4A, 5V | 2.8V @ 1mA | 3 nC @ 5 V | +6V, -4V | 150 pF @ 100 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
|
|
FBG04N08ASHGAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A EPC Space, LLC |
0 | - |
|
Таблицы данных |
e-GaN® | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 40 V | 8A (Tc) | 5V | 24mOhm @ 8A, 5V | 2.5V @ 2mA | 2.8 nC @ 5 V | +6V, -4V | 312 pF @ 20 V | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
