БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFK35N50MOSFET N-CH 500V 35A TO264AA IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 35A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 16.5A, 10V | 4V @ 4mA | 227 nC @ 10 V | ±20V | 5700 pF @ 25 V | - | 416W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264AA (IXFK) |
|
|
IXFK52N30QMOSFET N-CH 300V 52A TO264AA IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 52A (Tc) | 10V | 60mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 4mA | 150 nC @ 10 V | ±20V | 5300 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264AA (IXFK) |
|
|
IXFK60N25QMOSFET N-CH 250V 60A TO264AA IXYS |
0 | - |
|
- |
HiPerFET™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 60A (Tc) | 10V | 47mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 4mA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 5100 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264AA (IXFK) |
|
|
IXFK80N20MOSFET N-CH 200V 80A TO264AA IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 80A (Tc) | 10V | 30mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 4mA | 280 nC @ 10 V | ±20V | 5900 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264AA (IXFK) |
|
|
IXFK80N20QMOSFET N-CH 200V 80A TO264AA IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™ | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 80A (Tc) | 10V | 28mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 4mA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 4600 pF @ 25 V | - | 360W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264AA (IXFK) |
|
IXFN100N20MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 100A (Tc) | 10V | 23mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 8mA | 380 nC @ 10 V | ±20V | 9000 pF @ 25 V | - | 520W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
|
|
IXFN180N10MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™ | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 180A (Tc) | 10V | 8mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 8mA | 360 nC @ 10 V | ±20V | 9100 pF @ 25 V | - | 600W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
.jpg)
|
IXFR10N100QMOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Q Class | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 9A (Tc) | 10V | 1.2Ohm @ 5A, 10V | 5.5V @ 4mA | 90 nC @ 10 V | ±20V | 2900 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS247™ |
|
|
IXFR12N100QMOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Q Class | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 10A (Tc) | 10V | 1.1Ohm @ 6A, 10V | 5.5V @ 4mA | 90 nC @ 10 V | ±20V | 2900 pF @ 25 V | - | 250W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS247™ |
|
|
IXFR15N100PMOSFET N-CH 1000V ISOPLUS247 IXYS |
0 | - |
|
- |
HiPerFET™, Polar | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Through Hole | ISOPLUS247™ |
