БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg)
|
IXFR32N80Q3MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
HiPerFET™, Q3 Class | TO-247-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 24A (Tc) | 10V | 300mOhm @ 16A, 10V | 6.5V @ 4mA | 140 nC @ 10 V | ±30V | 6940 pF @ 25 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | ISOPLUS247™ |
|
IXTN400N20X4Ultra Junction X4-Class Power IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 340A (Tc) | 10V | 3mOhm @ 100A, 10V | 4.5V @ 250µA | 348 nC @ 10 V | ±20V | 27700 pF @ 25 V | - | 830W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B - miniBLOC |
|
|
IXTN500N20X4Ultra Junction X4-Class Power IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 500A (Tc) | 10V | 1.99mOhm @ 100A, 10V | 4.5V @ 250µA | 535 nC @ 10 V | ±20V | 41500 pF @ 25 V | - | 1150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B - miniBLOC |
|
|
IXFN75N120SKSIC AND MULTICHIP DISCRETE IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 75A (Tc) | 15V | 27mOhm @ 50A, 15V | 3.6V @ 18mA | 158 nC @ 15 V | +15V, -4V | 4820 pF @ 1000 V | - | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
|
IXTY1R4N60P TRLMOSFET N-CH 600V 1.4A TO252 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
Polar™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 1.4A (Tc) | 10V | 9Ohm @ 700mA, 10V | 5.5V @ 25µA | 5.2 nC @ 10 V | ±30V | 140 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
|
|
IXTY1R4N60PMOSFET N-CH 600V 1.4A TO252 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
PolarHV™ | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 1.4A (Tc) | 10V | 9Ohm @ 700mA, 10V | 5.5V @ 25µA | 5.2 nC @ 10 V | ±30V | 140 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252AA |
|
IXTP1R6N50PMOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB IXYS |
0 | - |
|
- |
Polar | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 1.6A (Tc) | 10V | 6.5Ohm @ 500mA, 10V | 5.5V @ 25µA | 3.9 nC @ 10 V | ±30V | 140 pF @ 25 V | - | 43W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
|
IXTP1R4N60PMOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
PolarHV™ | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 1.4A (Tc) | 10V | 9Ohm @ 700mA, 10V | 5.5V @ 25µA | 5.2 nC @ 10 V | ±30V | 140 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
IXTU12N06TMOSFET N-CH 60V 12A TO251 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
Trench | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 12A (Tc) | 10V | 85mOhm @ 6A, 10V | 4V @ 25µA | 3.4 nC @ 10 V | ±20V | 256 pF @ 25 V | - | 33W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-251AA |
|
|
IXTU1R4N60PMOSFET N-CH 600V 1.4A TO251 IXYS |
0 | - |
|
Таблицы данных |
PolarHV™ | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 1.4A (Tc) | 10V | 9Ohm @ 700mA, 10V | 5.5V @ 25µA | 5.2 nC @ 10 V | ±30V | 140 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-251AA |
