БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDP7061MOSFET N-CH 60V 64A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
5,561 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 64A (Tc) | 10V | 16mOhm @ 35A, 10V | 4V @ 250µA | 100 nC @ 10 V | ±20V | 1930 pF @ 25 V | - | 130W (Tc) | -65°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
FDD14AN06LA0MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA Fairchild Semiconductor |
56,284 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 9.5A (Ta), 50A (Tc) | 5V, 10V | 11.6mOhm @ 50A, 10V | 3V @ 250µA | 32 nC @ 5 V | ±20V | 2810 pF @ 25 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
FDS7766SSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Fairchild Semiconductor |
5,000 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 17A (Ta) | 4.5V, 10V | 5.5mOhm @ 17A, 10V | 3V @ 1mA | 58 nC @ 5 V | ±16V | 4785 pF @ 15 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
FQA13N80MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN Fairchild Semiconductor |
134 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-3P-3, SC-65-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 12.6A (Tc) | 10V | 750mOhm @ 6.3A, 10V | 5V @ 250µA | 88 nC @ 10 V | ±30V | 3500 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PN |
|
RF1S70N06SMN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
6,785 | - |
|
Таблицы данных |
PSPICE® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 70A (Tc) | 10V | 14mOhm @ 70A, 10V | 4V @ 250µA | 215 nC @ 20 V | ±20V | 3000 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263AB |
|
FQB6N70TMMOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK Fairchild Semiconductor |
3,322 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 700 V | 6.2A (Tc) | 10V | 1.5Ohm @ 3.1A, 10V | 5V @ 250µA | 40 nC @ 10 V | ±30V | 1400 pF @ 25 V | - | 3.13W (Ta), 142W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
|
RF1S70N06SM9AN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
1,600 | - |
|
Таблицы данных |
PSPICE® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 70A (Tc) | 10V | 14mOhm @ 70A, 10V | 4V @ 250µA | 215 nC @ 20 V | ±20V | 3000 pF @ 25 V | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263AB |
|
SSF10N80AN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
1,381 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-3P-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 6.5A (Tc) | 10V | 950mOhm @ 3A, 10V | 3.5V @ 250µA | 165 nC @ 10 V | ±30V | 3500 pF @ 25 V | - | 100W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PF |
|
IRFS350AMOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PF Fairchild Semiconductor |
188 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-3P-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 11.5A (Tc) | 10V | 300mOhm @ 5.75A, 10V | 4V @ 250µA | 131 nC @ 10 V | ±30V | 2780 pF @ 25 V | - | 92W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-3PF |
|
|
FDP8440POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Fairchild Semiconductor |
17,309 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.2mOhm @ 80A, 10V | 3V @ 250µA | 450 nC @ 10 V | ±20V | 24740 pF @ 25 V | - | 306W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
