БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQP6N50CMOSFET N-CH 500V 5.5A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
1,661 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 5.5A (Tc) | 10V | 1.2Ohm @ 2.8A, 10V | 4V @ 250µA | 25 nC @ 10 V | ±30V | 700 pF @ 25 V | - | 98W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
FDD5N50FTMN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
1,520 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 3.5A (Tc) | 10V | 1.55Ohm @ 1.75A, 10V | 5V @ 250µA | 15 nC @ 10 V | ±30V | 650 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
FQPF9N30MOSFET N-CH 300V 6A TO220F Fairchild Semiconductor |
1,300 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 6A (Tc) | 10V | 450mOhm @ 3A, 10V | 5V @ 250µA | 22 nC @ 10 V | ±30V | 740 pF @ 25 V | - | 42W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
|
|
FDB6690SMOSFET N-CH 30V 42A TO263AB Fairchild Semiconductor |
1,224 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench®, SyncFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 42A (Ta) | 4.5V, 10V | 15.5mOhm @ 21A, 10V | 3V @ 1mA | 15 nC @ 5 V | ±20V | 1238 pF @ 15 V | - | 48W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
HUF75631S3SN CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4 Fairchild Semiconductor |
1,130 | - |
|
- |
UltraFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 33A (Tc) | 10V | 40mOhm @ 33A, 10V | 4V @ 250µA | 79 nC @ 20 V | ±20V | 1220 pF @ 25 V | - | 120W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263AB (D2PAK) |
|
SI4463DYP-CHANNEL MOSFET Fairchild Semiconductor |
187,340 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 11.5A (Ta) | 2.5V, 4.5V | 12mOhm @ 11.5A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 60 nC @ 4.5 V | ±12V | 4481 pF @ 10 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
HUFA75321S3STMOSFET N-CH 55V 35A D2PAK Fairchild Semiconductor |
16,000 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 35A (Tc) | 10V | 34mOhm @ 35A, 10V | 4V @ 250µA | 44 nC @ 20 V | ±20V | 680 pF @ 25 V | - | 93W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
|
HUFA75337S3STMOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Fairchild Semiconductor |
10,729 | - |
|
Таблицы данных |
UltraFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 55 V | 75A (Tc) | 10V | 14mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 109 nC @ 20 V | ±20V | 1775 pF @ 25 V | - | 175W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
|
FDD6770A24A, 25V, 0.004OHM, N-CHANNEL , Fairchild Semiconductor |
4,705 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 24A (Ta), 50A (Tc) | 4.5V, 10V | 4mOhm @ 24A, 10V | 3V @ 250µA | 47 nC @ 10 V | ±20V | 2405 pF @ 13 V | - | 3.7W (Ta), 65W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
|
FDPF7N50FMOSFET N-CH 500V 6A TO220F Fairchild Semiconductor |
2,875 | - |
|
Таблицы данных |
UniFET™ | TO-220-3 Full Pack | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 6A (Tc) | 10V | 1.15Ohm @ 3A, 10V | 5V @ 250µA | 20 nC @ 10 V | ±30V | 960 pF @ 25 V | - | 38.5W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F-3 |
