БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQI6N50TUMOSFET N-CH 500V 5.5A I2PAK Fairchild Semiconductor |
1,650 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 5.5A (Tc) | 10V | 1.3Ohm @ 2.8A, 10V | 5V @ 250µA | 22 nC @ 10 V | ±30V | 790 pF @ 25 V | - | 3.13W (Ta), 130W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-262 (I2PAK) |
|
FQB3N60CTMMOSFET N-CH 600V 3A D2PAK Fairchild Semiconductor |
1,376 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 3A (Tc) | 10V | 3.4Ohm @ 1.5A, 10V | 4V @ 250µA | 14 nC @ 10 V | ±30V | 565 pF @ 25 V | - | 75W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
FQP44N08MOSFET N-CH 80V 44A TO220-3 Fairchild Semiconductor |
1,147 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 44A (Tc) | 10V | 34mOhm @ 22A, 10V | 4V @ 250µA | 50 nC @ 10 V | ±25V | 1430 pF @ 25 V | - | 127W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
FDPF5N50UTYDTUTRANS MOSFET N-CH 500V 4A T/R Fairchild Semiconductor |
49,600 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
IRFW540ATMMOSFET N-CH 100V 28A D2PAK Fairchild Semiconductor |
16,268 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 28A (Tc) | 10V | 52mOhm @ 14A, 10V | 4V @ 250µA | 78 nC @ 10 V | ±20V | 1710 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 107W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
|
FDD6690SN-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
2,500 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 40A (Ta) | 10V | 16mOhm @ 10A, 10V | 3V @ 1mA | 24 nC @ 10 V | ±20V | 2010 pF @ 15 V | - | 1.3W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-252 (DPAK) |
|
FQPF19N20T11.8A, 200V, 0.15OHM, N CHANNEL Fairchild Semiconductor |
2,000 | - |
|
Таблицы данных |
QFET® | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 11.8A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 5.9A, 10V | 5V @ 250µA | 40 nC @ 10 V | ±30V | 1600 pF @ 25 V | - | 50W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220F |
|
HUF76143P3N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor |
108,627 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 75A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.5mOhm @ 75A, 10V | 3V @ 250µA | 114 nC @ 10 V | ±20V | 3900 pF @ 25 V | - | 225W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
FDS6676SSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Fairchild Semiconductor |
38,079 | - |
|
Таблицы данных |
PowerTrench® | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 14.5A (Ta) | 4.5V, 10V | 7.5mOhm @ 14.5A, 10V | 3V @ 1mA | 60 nC @ 5 V | ±16V | 4665 pF @ 15 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
|
SFW9Z34TMMOSFET P-CH 60V 18A D2PAK Fairchild Semiconductor |
20,800 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Bulk | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 18A (Tc) | 10V | 140mOhm @ 9A, 10V | 4V @ 250µA | 38 nC @ 10 V | ±30V | 1155 pF @ 25 V | - | 3.8W (Ta), 82W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (D2PAK) |
