БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CSD19533Q5ATMOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Texas Instruments |
613 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 100A (Ta) | 6V, 10V | 9.4mOhm @ 13A, 10V | 3.4V @ 250µA | 35 nC @ 10 V | ±20V | 2670 pF @ 50 V | - | 3.2W (Ta), 96W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-VSONP (5x6) |
|
|
CSD17505Q5AMOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON Texas Instruments |
1,836 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 24A (Ta), 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 3.5mOhm @ 20A, 10V | 1.8V @ 250µA | 13 nC @ 4.5 V | ±20V | 1980 pF @ 15 V | - | 3.2W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-VSONP (5x6) |
|
|
CSD16407Q5MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Texas Instruments |
4,548 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 31A (Ta), 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.4mOhm @ 25A, 10V | 1.9V @ 250µA | 18 nC @ 4.5 V | +16V, -12V | 2660 pF @ 12.5 V | - | 3.1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-VSONP (5x6) |
|
|
CSD17501Q5AMOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Texas Instruments |
6,704 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.9mOhm @ 25A, 10V | 1.8V @ 250µA | 17 nC @ 4.5 V | ±20V | 2630 pF @ 15 V | - | 3.2W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-VSONP (5x6) |
|
|
CSD17573Q5BTMOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Texas Instruments |
970 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 100A (Ta) | 4.5V, 10V | 1mOhm @ 35A, 10V | 1.8V @ 250µA | 64 nC @ 4.5 V | ±20V | 9000 pF @ 15 V | - | 3.2W (Ta), 195W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-VSON-CLIP (5x6) |
|
|
CSD18512Q5BTMOSFET N-CH 40V 211A 8VSON Texas Instruments |
350 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 211A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.6mOhm @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 98 nC @ 10 V | ±20V | 7120 pF @ 20 V | - | 139W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-VSON-CLIP (5x6) |
,TO-263AB.jpg)
|
CSD18511KTTTMOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK Texas Instruments |
554 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 110A (Ta), 194A (Tc) | 4.5V, 10V | 2.6mOhm @ 100A, 10V | 2.4V @ 250µA | 64 nC @ 10 V | ±20V | 5940 pF @ 20 V | - | 188W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (DDPAK-3) |
|
|
CSD16556Q5BMOSFET N-CH 25V 100A 8VSON Texas Instruments |
6,118 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.07mOhm @ 30A, 10V | 1.7V @ 250µA | 47 nC @ 4.5 V | ±20V | 6180 pF @ 15 V | - | 3.2W (Ta), 191W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-VSONP (5x6) |
|
|
CSD17556Q5BMOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON Texas Instruments |
4,325 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 34A (Ta), 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.4mOhm @ 40A, 10V | 1.65V @ 250µA | 39 nC @ 4.5 V | ±20V | 7020 pF @ 15 V | - | 3.1W (Ta), 191W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-VSON-CLIP (5x6) |
|
CSD18510KTTMOSFET N-CH 40V 274A DDPAK Texas Instruments |
225 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 274A (Tc) | 4.5V, 10V | 1.7mOhm @ 100A, 10V | 2.3V @ 250µA | 153 nC @ 10 V | ±20V | 11400 pF @ 20 V | - | 250W (Ta) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (DDPAK-3) |
