БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TPS1100DRMOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC Texas Instruments |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 15 V | 1.6A (Ta) | 2.7V, 10V | 180mOhm @ 1.5A, 10V | 1.5V @ 250µA | 5.45 nC @ 10 V | +2V, -15V | - | - | 791mW (Ta) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
CSD18533KCSMOSFET N-CH 60V 72A/100A TO220-3 Texas Instruments |
0 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | TO-220-3 | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 72A (Ta), 100A (Tc) | 4.5V, 10V | 6.3mOhm @ 75A, 10V | 2.3V @ 250µA | 34 nC @ 10 V | ±20V | 3025 pF @ 30 V | - | 192W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220-3 |
|
CSD19535KTTMOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Texas Instruments |
1 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 200A (Ta) | 6V, 10V | 3.4mOhm @ 100A, 10V | 3.4V @ 250µA | 98 nC @ 10 V | ±20V | 7930 pF @ 50 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263 (DDPAK-3) |
|
CSD19538Q2R100-V, N CHANNEL NEXFET POWER MO Texas Instruments |
0 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 6-WDFN Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 4.6A (Ta), 13.1A (Tc) | 6V, 10V | 59mOhm @ 5A, 10V | 3.8V @ 250µA | 5.6 nC @ 10 V | ±20V | 454 pF @ 50 V | - | 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-WSON (2x2) |
|
CSD25302Q2MOSFET P-CH 20V 5A 6SON Texas Instruments |
0 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 6-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 5A (Tc) | 1.8V, 4.5V | 49mOhm @ 3A, 4.5V | 900mV @ 250µA | 3.4 nC @ 4.5 V | ±8V | 350 pF @ 10 V | - | 2.4W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-SON |
|
|
TPS1101DRMOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC Texas Instruments |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 15 V | 2.3A (Ta) | 2.7V, 10V | 90mOhm @ 2.5A, 10V | 1.5V @ 250µA | 11.25 nC @ 10 V | +2V, -15V | - | - | 791mW (Ta) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SOIC |
|
CSD25301W1015MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA Texas Instruments |
0 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 6-UFBGA, DSBGA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 2.2A (Tc) | 1.5V, 4.5V | 75mOhm @ 1A, 4.5V | 1V @ 250µA | 2.5 nC @ 4.5 V | ±8V | 270 pF @ 10 V | - | 1.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 6-DSBGA (1x1.5) |
|
CSD16323Q3CMOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON Texas Instruments |
0 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 21A (Ta), 60A (Tc) | 3V, 8V | 4.5mOhm @ 24A, 8V | 1.4V @ 250µA | 8.4 nC @ 4.5 V | +10V, -8V | 1300 pF @ 12.5 V | - | 3W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SON-EP (3x3) |
.jpg)
|
CSD25401Q3MOSFET P-CH 20V 14A/60A 8VSON Texas Instruments |
0 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 14A (Ta), 60A (Tc) | 2.5V, 4.5V | 11.7mOhm @ 10A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 12.3 nC @ 4.5 V | ±12V | 1400 pF @ 10 V | - | 2.8W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) |
|
CSD16322Q5CMOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON Texas Instruments |
0 | - |
|
Таблицы данных |
NexFET™ | 8-PowerTDFN | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 25 V | 21A (Ta), 97A (Tc) | 3V, 8V | 5mOhm @ 20A, 8V | 1.4V @ 250µA | 9.7 nC @ 4.5 V | +10V, -8V | 1365 pF @ 12.5 V | - | 3.1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-SON |
