БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSM180C12P2E202SICFET N-CH 1200V 204A MODULE Rohm Semiconductor |
4 | - |
|
Таблицы данных |
- | Module | Tray | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 204A (Tc) | - | - | 4V @ 35.2mA | - | +22V, -6V | 20000 pF @ 10 V | - | 1360W (Tc) | 175°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | Module |
|
BSM300C12P3E201SICFET N-CH 1200V 300A MODULE Rohm Semiconductor |
4 | - |
|
Таблицы данных |
- | Module | Bulk | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 300A (Tc) | - | - | 5.6V @ 80mA | - | +22V, -4V | 15000 pF @ 10 V | - | 1360W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | Module |
|
BSM400C12P3G202SICFET N-CH 1200V 400A MODULE Rohm Semiconductor |
4 | - |
|
Таблицы данных |
- | Module | Tray | Not For New Designs | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 400A (Tc) | - | - | 5.6V @ 106.8mA | - | +22V, -4V | 17000 pF @ 10 V | - | 1570W (Tc) | 175°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | Module |
|
RHK005N03FRAT146MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3 Rohm Semiconductor |
137 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Tape & Reel (TR) | Not For New Designs | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 500mA (Ta) | 4V, 10V | 550mOhm @ 500mA, 10V | 2.5V @ 1mA | - | ±20V | 45 pF @ 10 V | - | 200mW (Ta) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | SMT3 |
|
RCD041N25TLMOSFET N-CH 250V 4A CPT3 Rohm Semiconductor |
330 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 4A (Tc) | 10V | 1.3Ohm @ 2A, 10V | 5.5V @ 1mA | 8.5 nC @ 10 V | ±30V | 350 pF @ 25 V | - | 850mW (Ta), 29W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | CPT3 |
|
RT1A040ZPTRMOSFET P-CH 12V 4A TSST8 Rohm Semiconductor |
800 | - |
|
Таблицы данных |
- | 8-SMD, Flat Leads | Tape & Reel (TR) | Last Time Buy | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 12 V | 4A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 30mOhm @ 4A, 4.5V | 1V @ 1mA | 30 nC @ 4.5 V | ±10V | 2350 pF @ 6 V | - | 1.25W (Ta) | 150°C | - | - | Surface Mount | 8-TSST |
|
RP1E050RPTRMOSFET P-CH 30V 5A MPT6 Rohm Semiconductor |
90 | - |
|
Таблицы данных |
* | - | Cut Tape (CT) | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
|
RCJ050N25TLMOSFET N-CH 250V 5A LPT Rohm Semiconductor |
1,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 5A (Tc) | 10V | 1.36Ohm @ 2.5A, 10V | 5.5V @ 1mA | 8.5 nC @ 10 V | ±30V | 350 pF @ 25 V | - | 1.56W (Ta), 30W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
|
R6004KNJTLMOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263 Rohm Semiconductor |
1,000 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 4A (Tc) | 10V | 980mOhm @ 1.5A, 10V | 5V @ 1mA | 10.2 nC @ 10 V | ±20V | 280 pF @ 25 V | - | 58W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | LPTS |
|
R5007FNXMOSFET N-CH 500V 7A TO220FM Rohm Semiconductor |
95 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 7A (Tc) | 10V | 1.3Ohm @ 3.5A, 10V | 4V @ 1mA | 15 nC @ 10 V | ±30V | 450 pF @ 25 V | - | 40W (Tc) | 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-220FM |
