БОМ
FET, MOSFET
| 制造商 | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
全部重置
应用所有
结果:
| Фотографии | Производитель. Часть # | Доступность | Price | Количество | Таблицы данных | Серия | Корпус/корпус | Упаковка | Состояние продукта | Тип полевого транзистора | Технология | Напряжение сток-исток (Vdss) | Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C | Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс.) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Vgs (макс.) | Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | Характеристика FET | Рассеиваемая мощность (макс.) | Рабочая температура | Марка | Квалификация | Тип крепления | Устройство поставщика Упаковка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MTB2P50ET4GMOSFET P-CH 500V 2A D2PAK onsemi |
0 | - |
|
- |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 2A (Tc) | - | 6Ohm @ 1A, 10V | 4V @ 250µA | 27 nC @ 10 V | - | 1183 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
NTB5404NT4GMOSFET N-CH 40V 167A D2PAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 167A (Tc) | 5V, 10V | 4.5mOhm @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 125 nC @ 10 V | ±20V | 7000 pF @ 32 V | - | 5.4W (Ta), 254W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
|
NTB5405NGMOSFET N-CH 40V 116A D2PAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 116A (Tc) | 5V, 10V | 5.8mOhm @ 40A, 10V | 3.5V @ 250µA | 88 nC @ 10 V | ±20V | 4000 pF @ 32 V | - | 3W (Ta), 150W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | D2PAK |
|
NTD25P03LRLGMOSFET P-CH 30V 25A DPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 25A (Ta) | 4V, 5V | 80mOhm @ 25A, 5V | 2V @ 250µA | 20 nC @ 5 V | ±15V | 1260 pF @ 25 V | - | 75W (Tj) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
|
NTD4804NA-1GMOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 14.5A (Ta), 124A (Tc) | 4.5V, 11.5V | 4mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 40 nC @ 4.5 V | ±20V | 4490 pF @ 12 V | - | 1.43W (Ta), 93.75W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
|
NTD4805N-1GMOSFET N-CH 30V 12.7A/95A IPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 12.7A (Ta), 95A (Tc) | 4.5V, 11.5V | 5mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 48 nC @ 11.5 V | ±20V | 2865 pF @ 12 V | - | 1.41W (Ta), 79W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
|
NTD4806N-1GMOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 11.3A (Ta), 79A (Tc) | 4.5V, 11.5V | 6mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 23 nC @ 4.5 V | ±20V | 2142 pF @ 12 V | - | 1.4W (Ta), 68W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
|
NTD4808N-1GMOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 10A (Ta), 63A (Tc) | 4.5V, 11.5V | 8mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 13 nC @ 4.5 V | ±20V | 1538 pF @ 12 V | - | 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
NTD4809NA-35GMOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-251-3 Stub Leads, IPAK | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 9.6A (Ta), 58A (Tc) | 4.5V, 11.5V | 9mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 13 nC @ 4.5 V | ±20V | 1456 pF @ 12 V | - | 1.3W (Ta), 52W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | IPAK |
|
NTD4809NT4GMOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK onsemi |
0 | - |
|
Таблицы данных |
- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 30 V | 9.6A (Ta), 58A (Tc) | 4.5V, 11.5V | 9mOhm @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 25 nC @ 11.5 V | ±20V | 1456 pF @ 12 V | - | 1.4W (Ta), 52W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | DPAK |
